[发明专利]存储装置和包括其的存储系统在审

专利信息
申请号: 202111368417.X 申请日: 2021-11-18
公开(公告)号: CN114546903A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 具范会;金在燮;鲁良宇;柳东宪 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;肖学蕊
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 包括 存储系统
【说明书】:

一种存储装置包括:非易失性存储器;多个核;主机接口,其被配置为从主机接收第一设置命令、I/O命令和ADMIN命令;以及存储控制器,其包括命令分发模块,该命令分发模块被配置为根据第一设置命令被设置为第一状态,并且根据设置的第一状态向所述多个核分发I/O命令。所述多个核中的每一个可被配置为响应于分发的I/O命令对非易失性存储器执行由I/O命令指示的操作和由ADMIN命令指示的操作。

相关申请的交叉引用

2020年11月18日提交于韩国知识产权局的题为“存储装置和包括其的存储系统”的韩国专利申请No.10-2020-0154438整体以引用方式并入本文中。

技术领域

实施例涉及一种存储装置和包括其的存储系统。

背景技术

根据存储系统的环境等,存储装置可用于各种目的。例如,存储装置可用于游戏目的、文档工作或观看高清视频。存储装置可包括多核处理器以改进存储装置的性能。

发明内容

实施例涉及一种存储装置,包括:非易失性存储器;多个核;

主机接口,其被配置为从主机接收第一设置命令、I/O命令和ADMIN命令;以及存储控制器,其包括命令分发模块,该命令分发模块被配置为根据第一设置命令被设置为第一状态,并且根据设置的第一状态向多个核分发I/O命令。多个核中的每一个可被配置为响应于分发的I/O命令在非易失性存储器上执行由I/O命令指示的操作和由ADMIN命令指示的操作。

实施例还涉及一种存储装置,包括:非易失性存储器;以及存储控制器,其被配置为在第一时间点处从主机接收第一设置命令,被配置为响应于从主机提供的I/O命令在非易失性存储器上执行由I/O命令指示的操作,并且被配置为响应于从主机提供的ADMIN命令在非易失性存储器上不执行由ADMIN命令指示的操作。

实施例还涉及一种存储系统,包括:主机;第一存储装置,其包括第一非易失性存储器、被配置为控制第一非易失性存储器的多个第一核以及第一存储控制器,该第一存储控制器被配置为响应于从主机提供的第一状态命令向所述多个第一核输出第一状态,该第一状态包括从主机提供的第一ADMIN命令和第一I/O命令被分发的信息;以及第二存储装置,其包括第二非易失性存储器、被配置为控制第二非易失性存储器的多个第二核以及第二存储控制器,该第二存储控制器被配置为响应于从主机提供的第二状态命令向所述多个第二核输出第二状态,该第二状态包括从主机提供的第二ADMIN命令和第二I/O命令被分发的信息。主机可被配置为基于第一状态和第二状态向第一存储装置和第二存储装置之一提供第三I/O命令。

附图说明

通过参照附图详细描述示例实施例,对于本领域技术人员而言特征将变得显而易见,在附图中:

图1是用于说明根据一些示例实施例的存储系统的框图;

图2是用于说明图1的存储系统的操作的示图;

图3和图4是用于说明图2的设置命令的示图;

图5至图8是用于说明图1的命令分发模块的操作的示图;

图9是用于说明根据一些其它示例实施例的存储系统的框图;

图10和图11是用于说明图9的存储系统的操作的示图;

图12是用于说明图1的非易失性存储器的框图;

图13是用于说明可应用于图1的非易失性存储器的3D V-NAND结构的示图;

图14是用于说明可应用于图1的非易失性存储器的BVNAND结构的示图;

图15是用于说明根据一些其它示例实施例的存储系统的框图;

图16是用于说明根据一些其它示例实施例的存储系统的框图;

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