[发明专利]存储器系统、控制存储器装置的刷新的方法、存储器装置在审
申请号: | 202111368418.4 | 申请日: | 2021-11-18 |
公开(公告)号: | CN114550768A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 崔娟圭;金度均;李圣镇;黄斗熙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;李竞飞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 控制 装置 刷新 方法 | ||
1.一种存储器系统,包括:
存储器控制器,其被配置为以平均刷新间隔周期性地生成刷新命令;以及
存储器装置,其被配置为在从接收到每个刷新命令时的时间点开始的刷新周期时间期间执行正常刷新操作和锤刷新操作,在所述刷新周期时间期间抑制其它命令的生成,通过在刷新时段期间顺序地逐个选择多条字线来执行所述正常刷新操作,通过选择与比其它字线被更加频繁地访问的锤字线物理相邻的被干扰字线来执行所述锤刷新操作,其中,所述存储器装置包括:
存储器单元阵列,其包括连接至所述多条字线的存储器单元;
温度传感器,其被配置为通过测量所述存储器单元阵列的操作温度来提供温度信息;以及
刷新控制器,其被配置为控制所述正常刷新操作和所述锤刷新操作,并且被配置为改变所述刷新周期时间期间执行的锤刷新操作的单位锤执行数相对于所述刷新周期时间期间执行的正常刷新操作的单位正常执行数的锤率。
2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中:
所述存储器控制器被配置为设置第一温度水平和第二温度水平,所述存储器单元阵列的操作温度在所述第一温度水平中比在所述第二温度水平中更高,并且
所述存储器控制器被配置为在可变锤控制模式下不管所述第一温度水平和所述第二温度水平如何都保持所述平均刷新间隔。
3.根据权利要求2所述的存储器系统,其中,所述刷新控制器被配置为在所述可变锤控制模式下基于从所述温度传感器提供的温度信息改变所述锤率。
4.根据权利要求2所述的存储器系统,其中:
所述存储器控制器被配置为基于从所述存储器装置提供的温度信息利用模式寄存器集写命令来传递锤控制信息,
所述存储器装置被配置为将所述锤控制信息存储在模式寄存器中,并且
所述刷新控制器被配置为基于存储在所述模式寄存器中的锤控制信息在所述可变锤控制模式下改变所述锤率。
5.根据权利要求2所述的存储器系统,其中,所述刷新控制器被配置为在所述可变锤控制模式下改变所述锤率使得与所述第二温度水平对应的锤率高于与所述第一温度水平对应的锤率。
6.根据权利要求2所述的存储器系统,其中:
所述刷新控制器被配置为在所述可变锤控制模式下改变所述单位正常执行数,使得与所述第二温度水平对应的单位正常执行数小于与所述第一温度水平对应的单位正常执行数,并且
所述刷新控制器被配置为在所述可变锤控制模式下无论所述第一温度水平和所述第二温度水平如何都保持所述单位锤执行数。
7.根据权利要求6所述的存储器系统,其中,所述刷新控制器被配置为改变表示两个相邻的刷新操作之间的时间间隔的操作间隔,使得与所述第二温度水平对应的操作间隔比与所述第一温度水平对应的操作间隔更长。
8.根据权利要求7所述的存储器系统,其中,所述存储器控制器被配置为在所述可变锤控制模式下无论所述第一温度水平和所述第二温度水平如何都保持所述刷新周期时间。
9.根据权利要求6所述的存储器系统,其中,所述刷新控制器被配置为在所述可变锤控制模式下无论所述第一温度水平和所述第二温度水平如何都保持操作间隔,所述操作间隔表示两个相邻的刷新操作之间的时间间隔。
10.根据权利要求9所述的存储器系统,其中,所述存储器控制器被配置为在所述可变锤控制模式下改变所述刷新周期时间,使得与所述第二温度水平对应的刷新周期时间比与所述第一温度水平对应的刷新周期时间更短。
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