[发明专利]半导体封装结构的制作方法及半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述半导体封装结构的制作方法包括：

提供封装中间体结构，所述封装中间体结构包括重布线层及覆盖所述重布线层的保护层，其中，所述重布线层包括互连线和位于所述互连线上的多个接触垫，所述保护层暴露出所述多个接触垫；

在所述保护层上形成图形化的感光膜，所述图形化的感光膜具有多个开口，所述多个开口暴露出所述多个接触垫；

在所述图形化的感光膜上浇筑液态熔融锡，所述液态熔融锡流入所述多个开口并与所述多个接触垫连接形成锡连结构，所述锡连结构包括位于所述多个开口内的多个锡体结构和与所述多个锡体结构连接并且覆盖所述图形化的感光膜的锡层；以及

去除所述锡层以使得所述多个锡体结构相互独立。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，在去除所述锡层以使得所述多个锡体结构相互独立之后，所述半导体封装结构的制作方法还包括：

去除部分所述图形化的感光膜，以使得所述锡体结构与所述图形化的感光膜之间具有间隙；以及

对所述多个锡体结构进行回流以形成多个锡球。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，在对所述多个锡体结构进行回流以形成多个锡球之后，所述半导体封装结构的制作方法还包括：去除所述图形化的感光膜。

4.如权利要求2所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述锡体结构的横截面呈方形或者圆形。

5.如权利要求2所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述间隙的横向外周线呈方形或者圆形。

6.如权利要求2～5中任一项所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述间隙的隙宽是所述锡体结构的横截面宽度的30％以内。

7.如权利要求1～5中任一项所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，在所述保护层上形成图形化的感光膜包括：

在所述保护层上压合一感光膜；以及

对所述感光膜执行曝光显影工艺，以形成所述图形化的感光膜。

8.如权利要求1～5中任一项所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述封装中间体结构还包括：芯片结构、覆盖所述芯片结构的调整层以及半包围所述芯片结构和所述调整层的塑封层，所述塑封层暴露出所述调整层的上表面，所述重布线层位于所述调整层上。

9.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：

重布线层，所述重布线层包括互连线和位于所述互连线上的多个接触垫；

覆盖所述重布线层的保护层，所述保护层暴露出所述多个接触垫；

图形化的感光膜，所述图形化的感光膜具有多个开口，所述多个开口暴露出所述多个接触垫；以及

多个锡体结构，所述锡体结构位于所述开口内并与所述接触垫连接。

10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括：

芯片结构；

覆盖所述芯片结构的调整层；以及

半包围所述芯片结构和所述调整层的塑封层，所述塑封层暴露出所述调整层的上表面；

其中，所述重布线层位于所述调整层上。