[发明专利]一种改善偏移的LED芯片切割方法

说明书

本发明涉及一种改善偏移的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤如下：(1)涂胶；(2)光刻：将涂胶后的LED芯片P面曝光，得到标识切割道和偏移刻度标识；(3)显影；(4)刻蚀；(5)去胶；(6)贴膜；(7)切割。本发明改善了常规化LED芯片切割工艺，添加了标识切割道和偏移刻度标识，通过让刀片沿着标识切割道行径进行切割，并在标识切割道路径上设置偏移刻度标识进行可视化数据调整，相当于多了一把直尺进行实时的偏移测量，有效地改善了常规化LED芯片切割工艺中凭经验调整偏移的问题，极大地提高了芯片切割的合格率，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及一种改善偏移的LED芯片切割方法，属于LED芯片技术领域。

背景技术

LED芯片作为半导体照明的核心元器件，在照明行业发挥着重要作用。LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同，可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。LED芯片发光效率高，颜色范围广，使用寿命长，已被广泛应用于大屏显示、景观照明、交通信号灯、汽车状态显示等各个领域。因此LED芯片最后的外观形状好坏会直接影响到其电性能参数的好坏，因此LED行业领域内对芯片外观的要求颇为严格，尤其是尺寸越小越明显，影响LED芯片外观及后续下道封装焊线质量的比较重要的因素就是切割过程中发生的切痕偏移(业内也可称为锯偏，直观解释为LED芯片P电极距离芯片两侧边缘的距离长度不对等)，会导致LED芯片焊线时焊球位置偏，影响出光等性能参数。

在LED芯片制备工艺中，切割就是将经过光刻、镀膜、减薄等基本工艺制程后的整个芯片分割成所需求尺寸的单一晶粒的过程，是半导体发光二极管芯片制备工艺中不可或缺的后段制程。对于LED芯片，比较传统的也是现业界采用最广泛的切割方式是刀片切割。刀片切割是用高速旋转的主轴带动安装在上边的刀片按需求设定好的程序将芯片完全切割开成单一的晶粒过程。在切割过程中刀片的切痕会随着切割时间的持续发生微小的偏移(偏移受作业人员的调整准确性、切痕的质量等影响)，逐步累计后偏移会进一步加剧明显直接影响外观，甚至导致LED芯片出现边缘损坏或背崩，这也是LED芯片切割中一直需要解决改善的异常问题之一。

中国专利文献CN107946284A公开了一种LED芯片切割道标识及其制作方法，该方法包括：通过在LED芯片的GaP层制作切割道标识来判断切割过程中刀痕是否发生偏移，标识的制作方法为湿法刻蚀，在芯片的刻蚀过程中用光刻胶对标识部分进行保护，刻蚀之后即可得到想要的标识，可以为圆形、方形等形状。该专利对切割过程中刀痕的位置确实起到一定的标识作用，但是该方法的缺点是标识部分未进行刻蚀挖洞，反而是与标识连接的部分进行了刻蚀挖洞，而GaP本身切割过程中就容易发生崩裂，再加上表面有刻蚀与不刻蚀的区别，容易加大对刀片的损伤加重切割崩裂，崩裂严重后反而更容易造成切割偏移。同时该方法是湿法刻蚀处理，湿法刻蚀存在刻蚀速率不一致的问题，在实际腐蚀过程中制作出的切割道标识不是标准的直线，反而更容易造成切割偏移，得到相反的结果。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种改善偏移的LED芯片切割方法。

本发明的技术方案如下：

一种改善偏移的LED芯片切割方法，包括步骤如下：

(1)涂胶：将LED芯片P面表面涂覆光刻胶，在LED芯片P面上形成掩护膜；

(2)光刻：将涂胶后的LED芯片P面曝光，得到标识切割道和偏移刻度标识；所述标识切割道为从左至右贯穿整个LED芯片P面的直线；所述偏移刻度标识为位于LED芯片的边缘两侧，带有竖向刻度标识的垂直短线；

(3)显影：将光刻后的LED芯片进行烘烤，然后再进行显影腐蚀；

(4)刻蚀：将显影后的LED芯片进行清洗、烘干，再对没有被光刻胶覆盖的标识切割道进行干法刻蚀，刻蚀深度延伸到GaP层；