[发明专利]一种采用射频磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法

权利要求书

1.一种二氧化钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在真空反应室中，采用射频磁控溅射法，在基底表面溅射二氧化钒后，升高基底温度进行原位退火，得到二氧化钒薄膜；所述基底和二氧化钒薄膜之间不设置缓冲层；

所述射频磁控溅射的条件为：所述基底的温度为250～300℃；氩气通入反应室的流速为0.8sccm；氧气通入反应室的流速为40sccm；反应室的气压为0.8Pa；溅射时间为15～20min；溅射功率为95W；

所述原位退火的温度为460～520℃，保温时间为200s；

升温至所述原位退火的温度的时间≤7s；

进行所述溅射前，对所述基底进行清洗；

所述清洗包括在超声条件下，依次用丙酮、无水乙醇和水进行清洗；

所述溅射采用的靶材为纯度为99.9％的钒靶；

进行所述溅射前，对所述靶材进行预溅射；

进行所述溅射时，所述基底与靶材的距离为80mm，所述基底的转速为25rad/s。