[发明专利]倒装芯片的封装结构

权利要求书

1.一种倒装芯片的封装结构，其中，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片的第一表面具有多个焊盘；

多个金属柱，分别形成在所述多个焊盘上；

封装框架，所述封装框架的表面具有多个接合槽；

其中，所述多个接合槽与所述多个金属柱一一对应，且所述多个金属柱中每个金属柱的部分位于对应接合槽内，并通过导电胶与接合槽的内壁接合。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片的封装结构，其中，所述多个金属柱中每个金属柱通过所述导电胶与对应接合槽的底面和侧面中的至少之一粘连。

3.根据权利要求1所述的倒装芯片的封装结构，其中，所述倒装芯片的封装结构还包括：

凸块下金属层，设置于所述多个焊盘和所述多个金属柱之间。

4.根据权利要求3所述的倒装芯片的封装结构，其中，所述倒装芯片的封装结构还包括：

绝缘层，形成于所述半导体芯片的第一表面，且所述绝缘层上具有开口，以外露出所述多个焊盘；或者

所述绝缘层形成于所述半导体芯片和所述多个焊盘之间，且所述绝缘层上具有多个过孔，所述多个焊盘通过所述多个过孔与所述半导体芯片连接。

5.根据权利要求4所述的倒装芯片的封装结构，其中，所述倒装芯片的封装结构还包括：

钝化层，形成于所述绝缘层远离所述半导体芯片的表面，所述钝化层覆盖所述多个焊盘中每个焊盘的部分。

6.根据权利要求1所述的倒装芯片的封装结构，其中，所述多个金属柱包括：

多个第一金属柱，与所述多个接合槽中的多个第一接合槽接合；

多个第二金属柱，与所述多个接合槽中的多个第二接合槽接合，

其中，所述多个第一接合槽位于所述封装框架的第一区域，所述多个第二接合槽位于所述封装框架的第二区域；以及

所述多个第一金属柱位于所述多个第一接合槽内的部分的深度大于所述多个第二金属柱位于所述多个第二接合槽内的部分的深度。

7.根据权利要求6所述的倒装芯片的封装结构，其中，所述第一区域为所述封装框架的边缘区域，所述第二区域为所述封装框架的中央区域。

8.根据权利要求6所述的倒装芯片的封装结构，其中，所述多个第一金属柱的高度大于所述多个第二金属柱的高度。

9.根据权利要求6所述的倒装芯片的封装结构，其中，所述多个第一接合槽的深度大于所述多个第二接合槽的深度。

10.根据权利要求1所述的倒装芯片的封装结构，还包括：

塑封体，用于封装所述半导体芯片、所述多个金属柱以及所述封装框架。