[发明专利]基片横向位移监测和横向对准系统和方法在审
申请号: | 202111374376.5 | 申请日: | 2021-11-19 |
公开(公告)号: | CN114156218A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 陈学文;林树培 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 潘行 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 横向 位移 监测 对准 系统 方法 | ||
1.一种基片横向位移监测和横向对准系统,其特征在于,包括:
光源组件,用于提供照明光束;
显微系统,用于引导照明光束形成探测光束,并将探测光束引导至探测器;所述的探测光束,包括基片直接反射或透射的参考光束,还包括由基片表面纳米级或亚纳米级起伏、基片表面的颗粒或结构所产生的散射光束;
探测器,用于生成光学图像;
位移调整装置,用于承载基片,并调整基片的位置;
计算机处理系统,用于处理光学图像、生成干涉对比度图像,提取基片的位置信息,并控制位移调整装置。
2.根据权利要求1所述的基片横向位移监测和横向对准系统,其特征在于,所述的显微系统包含空间滤波器。
3.根据权利要求1所述的基片横向位移监测和横向对准系统,其特征在于,所述的处理光学图像、生成干涉图像是指将光学图像处理成参考光束和散射光束干涉形成干涉对比度图像。
4.根据权利要求1所述的基片横向位移监测和横向对准系统,其特征在于,所述的提取基片的位置信息,是指将各时刻的干涉对比度图像进行互相关函数分析,并拟合互相关函数的中心位置,提取各时刻基片的位置。
5.根据权利要求4所述的基片横向位移监测和横向对准系统,其特征在于,所述的计算机处理系统,还用于根据基片各时刻的位置,监测基片各时刻的横向位移量。
6.根据权利要求5所述的基片横向位移监测和横向对准系统,其特征在于,所述的计算机处理系统,还用于根据基片的横向位移量,控制位移调整装置,将基片移动到指定位置进行对准。
7.一种基片横向位移监测和横向对准方法,其特征在于,包括以下步骤:
光源组件发出照明光束;
通过显微系统引导照明光束至基片表面,形成探测光束,并将探测光束引导至探测器形成光学图像;
将所述光学图像处理成参考光束和散射光束干涉形成的干涉对比度图像;所述的探测光束,包括基片直接反射或透射的参考光束,还包括基片表面纳米级或亚纳米级起伏、基片表面的颗粒或结构所产生的散射光束;
对不同时刻的干涉对比度图像进行互相关函数分析,并拟合互相关函数的中心位置,提取不同时刻基片的位置信息;
根据不同时刻基片的位置信息,监测基片的横向位移量;
根据监测的横向位移量,控制位移调整装置,将基片移动到指定位置。
8.根据权利要求7所述的基片横向位移监测和横向对准方法,其特征在于,在所述的显微系统中进行空间滤波。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造