[发明专利]一种超低发射率功能涂层的制备方法有效
申请号: | 202111375035.X | 申请日: | 2021-11-17 |
公开(公告)号: | CN114262885B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 卢海燕;盛磊;乔兴旺;张亚斌;侯江涛 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
主分类号: | C23C22/33 | 分类号: | C23C22/33;C23C22/78;C23C22/82;C23F1/20;C23F1/36 |
代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 缪璐欢 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 功能 涂层 制备 方法 | ||
1.一种超低发射率功能涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)预处理
a.酸浸蚀:将天线放入酸浸蚀溶液中,在70-80℃的温度下进行酸浸蚀处理3-5min,酸浸蚀溶液的配方为:硫酸100-120mL/L、铬酐30-40g/L;
b.清水洗:将步骤a中酸浸蚀处理后的天线取出,随后采用流动自来水清洗;
c.碱浸蚀:将步骤b中水洗后的天线放入碱浸蚀溶液中,在60-70℃的温度下进行碱浸蚀处理10-60s,碱浸蚀溶液配方为:氢氧化钠10-20g/L、碳酸钠30-40g/L、磷酸钠40-50g/L;
d清水洗:将步骤c中碱浸蚀处理后的天线取出,随后采用流动自来水清洗;
e.出光:将步骤d中水洗后的天线置于出光液中进行出光处理,出光温度为10-30℃,出光时间为5-15s,所述出光液配方为:HNO3:H2SO4:HF/v:v:v=60:35:5;
f.清水洗:将步骤e中出光处理后的天线取出,随后采用流动自来水清洗;
(2)化学氧化
将上述预处理后的天线放入化学氧化溶液中氧化;所述化学氧化工艺配方为:10-20g/L磷酸、1-2g/L磷酸氢二铵、2-4g/L铬酸钠、1-3g/L硼酸、2-5g/L单宁酸;氧化参数为:pH 2-4.5,温度25-35℃,时间2-8min;
(3)清水洗
将步骤(2)中经化学氧化处理后的天线放入流动自来水中清洗;
(4)后处理
将步骤(3)中清水洗后的天线放入后处理溶液中,于25-35℃下处理30-60s,后处理溶液为浓度为5-10g/L的铬酐(CrO3);
(5)热水洗
将上述处理后的天线放入热水中清洗;
(6)干燥
将上述热水洗后的天线放在吹风机上表面干燥后,然后放入烘箱中烘至天线整体完全干燥即可。
2.根据权利要求1所述的一种超低发射率功能涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤b中清洗时间为10-60s。
3.根据权利要求1所述的一种超低发射率功能涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤d中清洗时间为10-60s。
4.根据权利要求1所述的一种超低发射率功能涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤f中清洗时间为10-60s。
5.根据权利要求1所述的一种超低发射率功能涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中清洗时间为10-30s。
6.根据权利要求1所述的一种超低发射率功能涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中热水的温度为45-55℃。
7.根据权利要求1所述的一种超低发射率功能涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中热水清洗时间为10-30s。
8.根据权利要求1所述的一种超低发射率功能涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤(6)中干燥的温度为45-55℃。
9.根据权利要求1所述的一种超低发射率功能涂层的制备方法,其特征在于:还包括以下步骤:对已完全干燥并冷却的天线,测试其表面发射率εH及进行耐盐雾试验。
10.根据权利要求9所述的一种超低发射率功能涂层的制备方法,其特征在于:所述耐盐雾试验方法按GJB150.11A中NSS的规定进行。
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