[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202111382441.9 | 申请日: | 2021-11-19 |
公开(公告)号: | CN114203909A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 陈炜;胡晓东;蒋昭毅 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;黄进 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池,包括钙钛矿光吸收层,其特征在于,所述钙钛矿光吸收层是由钙钛矿薄膜经过退火处理再进行热压处理形成的钙钛矿光吸收层,所述钙钛矿光吸收层的晶粒尺寸为800nm~1000nm。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池还包括导电基底、第一电荷传输层、第二电荷传输层和导电电极层;
其中,所述第一电荷传输层设置在所述导电基底上,所述钙钛矿光吸收层设置在所述第一电荷传输层上,所述第二电荷传输层设置在所述钙钛矿光吸收层上,所述导电电极层设置在所述第二电荷传输层上。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿光吸收层厚度为300nm~600nm。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述第一电荷传输层为空穴传输层,所述第二电荷传输层为电子传输层;或者是,所述第一电荷传输层为电子传输层,所述第二电荷传输层为空穴传输层。
5.根据权利要求1-4任一所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述电子传输层的厚度为5nm~20nm,所述空穴传输层的厚度为5nm~100nm,所述导电电极层的厚度为70nm~400nm。
6.一种如权利要求1-5任一所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括制备获得钙钛矿光吸收层的步骤,其特征在于,所述制备获得钙钛矿光吸收层的步骤包括:
S101、制备形成钙钛矿薄膜;
S102、对所述钙钛矿薄膜进行退火处理;
S103、对退火处理后的所述钙钛矿薄膜进行热压处理,获得所述钙钛矿光吸收层。
7.根据权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤S103中,对所述钙钛矿光吸收层进行热压处理前,在退火处理后的所述钙钛矿薄膜上设置热压保护膜。
8.根据权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述热压保护膜的材料为疏水材料。
9.根据权利要求6所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述热压处理为机械热压处理或温等热压处理,所述热压处理中压力为10MPa~300MPa,温度为70℃~190℃,热压处理时间为10min~40min。
10.根据权利要求6-9任一所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
S10、提供一所述导电基底,在所述导电基底上制备获得第一电荷传输层;
S20、在所述第一电荷传输层上制备获得钙钛矿光吸收层;
S30、在所述钙钛矿光吸收层上制备获得第二电荷传输层;
S40、在所述第二电荷传输层制备获得导电电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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