[发明专利]一种半导体晶圆DIE分布的获取方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆DIE分布的获取方法，其特征在于方法的步骤中含有：

S01：选取晶圆上某个DIE作为基测DIE和将基测DIE相邻斜角上的DIE作为邻近DIE，对晶圆构建坐标系，获取基测DIE的尺寸及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸以及获取晶圆的中心坐标；

S02：根据晶圆的尺寸、晶圆的中心坐标、基测DIE的尺寸以及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸在晶圆上预排列出 DIE的分布，并获得每个预排列的DIE的位置坐标和得到DIE预排列图；

S03：在DIE中指定多个特征模板，并获取特征模板相对于DIE的位置坐标；其中，特征模板为DIE中的某一区域；

S04：根据获得的预排列的DIE的位置坐标及特征模板相对于DIE中的位置坐标设定扫描路径对晶圆进行光学扫描；其中，扫描晶圆的过程中，每个DIE对应扫描该DIE上特征模板位置对应的特征图像；

S05：对光学扫描得到的特征图像和相应特征模板进行匹配，根据每个DIE匹配的特征模板的个数判断对应的DIE是否存在，并将不存在的DIE剔除出DIE预排列图，得最终DIE分布图。

2.根据权利要求1所述的获取方法，其特征在于，

在步骤S01中，通过光学扫描设备定位到晶圆上选取的基测DIE，采集基测DIE和邻近DIE的图像，分别获取基测DIE的左上角、右下角、相邻DIE靠基测DIE的角部的坐标，计算得到基测DIE的尺寸及邻近DIE和基测DIE之间的间隔尺寸。

3.根据权利要求1所述的获取方法，其特征在于，

获取晶圆的中心坐标的方法为：通过光学扫描设备获取晶圆的图像，从晶圆的图像中获取晶圆边缘的切线，根据切线和切点的坐标，计算得出晶圆的中心坐标。

4.根据权利要求1所述的获取方法，其特征在于，

在步骤S03中，在DIE中指定的特征模板的图案分别不同。

5.根据权利要求1所述的获取方法，其特征在于，

在步骤S05中，对光学扫描得到的特征图像和相应特征模板进行匹配具体为：

设定匹配阈值，对光学扫描得到的特征图像和相应特征模板进行匹配，在每个DIE中，匹配结果大于匹配阈值，则匹配成功，否则匹配失败，不计入每个DIE匹配的特征模板的个数。

6.根据权利要求1所述的获取方法，其特征在于，

在步骤S05中，设定个数阈值， 每个DIE中匹配的特征模板≥设定的个数阈值时，则相应DIE存在，反之则相应DIE不存在。