[发明专利]一种碳量子点改性PTCDA基炭材料的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202111384609.X | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114057180A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 徐斌;张威;孙宁 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05;C01B32/15;H01M4/133;H01M4/587;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 改性 ptcda 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳量子点改性苝四甲酸二酐(PTCDA)基炭材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)将NaOH粉末加入到40wt％的乙醛溶液中，通过羟醛缩合反应得到碳量子点，将得到的碳量子点与PTCDA按照一定比例混合均匀，使其充分交联；
(2)将步骤(1)得到的产物在惰性气氛的保护下进行高温碳化，得到碳量子点改性炭材料。
2.根据权利要求1所述一种碳量子点改性PTCDA基炭材料的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中的碳量子点与PTCDA的质量比为1:1～1:10。
3.根据权利要求1所述一种碳量子点改性PTCDA基炭材料的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中的混合方式包括固相球磨混合和液相匀浆混合。
4.根据权利要求1所述一种碳量子点改性PTCDA基炭材料的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中的碳化温度为800～1200℃，碳化时间为2～10h。
5.根据权利要求1所述一种碳量子点改性PTCDA基炭材料的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中升温至所述碳化温度的升温速率为1～10℃/min。
6.根据权利要求1所述一种碳量子点改性PTCDA基炭材料的制备方法，其特征在于所述步骤(2)中惰性气氛为氮气、氩气、氦气、氖气中的任意一种或几种的混合。
7.权利要求1-6任意一项所述制备方法制备得到的碳量子点改性PTCDA基炭材料及以此为活性材料制备的电极。
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