[发明专利]电子装置及其控制方法在审
申请号: | 202111384659.8 | 申请日: | 2021-11-22 |
公开(公告)号: | CN114649354A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 堀祐子;岩津明宏;萩野修司 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 及其 控制 方法 | ||
本公开提供一种电子装置和控制方法。电子装置包含感测像素。感测像素包含感光单元、第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管。第一晶体管耦接感光单元且用于接收复位信号。第二晶体管耦接感光单元。第三晶体管耦接第二晶体管且用于接收扫描信号。在复位周期期间,复位信号的复位信号波形和扫描信号的第一扫描信号波形至少部分地重叠。本公开的电子装置和控制方法能够改善电子装置的感测像素的输出损耗。
技术领域
本公开涉及一种装置,且确切地说,涉及一种电子装置及其控制方法。
背景技术
对于一般图像传感器,由于当图像传感器(例如,3T结构)的感测像素的多个晶体管在不同操作模式之间切换时,感测像素的电路中的一些电路节点可浮置,使得一些电路节点的电压变得不稳定,且易于受晶体管的泄漏电流或电容耦接效应影响。因此,一般图像传感器通常具有输出损耗的问题。鉴于此,在下文中提出若干实施例。
发明内容
本公开的电子装置包含感测像素。感测像素包含感光单元、第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管。第一晶体管耦接感光单元且用于接收复位信号。第二晶体管耦接感光单元。第三晶体管耦接第二晶体管且用于接收扫描信号。在复位周期期间,复位信号的复位信号波形和扫描信号的第一扫描信号波形至少部分地重叠。
本公开的控制方法用于包含感测像素的电子装置。控制方法包含以下步骤:在复位周期期间,向感测像素提供复位信号;以及在复位周期期间,向感测像素提供扫描信号。复位信号的复位信号波形和扫描信号的第一扫描信号波形至少部分地重叠。
本公开的电子装置包含感测像素。感测像素包含感光单元、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及箝位电路。第一晶体管耦接感光单元且用于接收复位信号。第二晶体管耦接感光单元。第三晶体管耦接第二晶体管。箝位电路耦接第二晶体管。
基于上述内容,根据本公开的电子装置和用于电子装置的控制方法,电子装置和控制方法能够改善电子装置的感测像素的输出损耗。
为了使前述内容更易理解,如下详细地描述附图的若干实施例。
附图说明
包含附图以提供对本公开的进一步理解,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出本公开的示例性实施例,且与描述一起用来解释本公开的原理。
图1A示出根据本公开的实施例的电子装置的示意图;
图1B示出根据本公开的第一实施例的感测像素的示意图;
图2A示出根据本公开的实施例的电子装置的操作的时序图;
图2B示出根据本公开的实施例的处于未照光状态(dark)的图1B的感测像素的操作的时序图;
图2C示出根据本公开的实施例的处于照光状态(bright)的图1B的感测像素的操作的时序图;
图2D示出根据本公开的实施例的控制方法的流程图;
图3示出根据本公开的第二实施例的感测像素的示意图;
图4A示出根据本公开的实施例的处于未照光状态的图3的感测像素的操作的时序图;
图4B示出根据本公开的实施例的处于照光状态的图3的感测像素的操作的时序图;
图5A示出根据本公开的另一实施例的处于未照光状态的图3的感测像素的操作的时序图;
图5B示出根据本公开的另一实施例的处于照光状态的图3的感测像素的操作的时序图;
图6示出根据本公开的第三实施例的感测像素的示意图;
图7A示出根据本公开的实施例的处于未照光状态的图6的感测像素的操作的时序图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的