[发明专利]一种高硅铝土矿制备高白高纯氢氧化铝方法及系统在审

专利信息
申请号: 202111384957.7 申请日: 2021-11-23
公开(公告)号: CN114105175A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 曾峰;李志伟 申请(专利权)人: 内蒙古茂燊科技有限公司;内蒙古会原科技有限公司
主分类号: C01F7/08 分类号: C01F7/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 010399 内蒙古自治区呼和浩特市内蒙*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 铝土矿 制备 高纯 氢氧化铝 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种高硅铝土矿制备高白高纯氢氧化铝方法,其特征在于,包括如下步骤:首先取粉碎至工艺控制细度的原料作为预粉料,预粉料再经生料配制、胚料成型得到胚料,胚料经胚料烧结得到熟料,然后熟料进行熟料溶出得到浆液,浆液再进行浆液脱硅、碳分反应、氢铝分离和干燥制备高白高纯氢氧化铝;其中,原料包括高硅铝土矿、煤矸石、含钙固废、煤粉和纯碱;所述胚料烧结为程序升温焙烧胚料,焙烧温度范围为800-1100℃。

2.根据权利要求1的高硅铝土矿制备高白高纯氢氧化铝方法,其特征在于,所述高硅铝土矿铝硅比为0.5至2.5。

3.根据权利要求2的高硅铝土矿制备高白高纯氢氧化铝方法,其特征在于,所述胚料进行自热式胚料烧结,所述自热来源于所述煤矸石和煤粉。

4.根据权利要求1的高硅铝土矿制备高白高纯氢氧化铝方法,其特征在于,高硅铝土矿、煤矸石、含钙固废、煤粉和纯碱进行粉碎处理至同等物料细度。

5.根据权利要求1-4任一项所述的高硅铝土矿制备高白高纯氢氧化铝方法,其特征在于,胚料烧结前还包括对所述胚料进行程序升温干燥,干燥温度范围为50-800℃;胚料烧结后还包括对所述胚料在完成焙烧后按照程序降温冷却,冷却温度范围为1100-40℃。

6.根据权利要求5的高硅铝土矿制备高白高纯氢氧化铝方法,其特征在于,程序升温干燥速度为50-150℃/小时,程序升温焙烧速度为50-150℃/小时,程序降温冷却速度为50-200℃/小时。

7.根据权利要求5的高硅铝土矿制备高白高纯氢氧化铝方法,其特征在于,干燥时间为2-8小时,焙烧时间为1-3小时,冷却时间为1-6小时。

8.根据权利要求1的制备高白高纯氢氧化铝方法,其特征在于,所述胚料为胚体中央带通孔的八棱柱状体。

9.根据权利要求1-4任一项所述的高硅铝土矿制备高白高纯氢氧化铝方法,其特征在于,所述生料配制包括生料配料和配料均化,所述预粉料经生料配料后再进行配料均化得到所述均化生料,其中,所述生料配料包括将所述预粉料送入原料中间料仓,通过计量配料;所述配料均化包括干法均化,干法均化温度30-50℃。

10.一种根据权利要求1-9任一项所述方法的制备高白高纯氢氧化铝系统,其特征在于,包括依次连接的生料配制模块、胚料成型单元、胚料烧结单元、熟料溶出单元、浆液脱硅单元、碳分反应单元、氢铝分离单元和干燥单元,其中,生料配制模块接收粉碎至工艺控制细度的原料的预粉料并进行配料得到均化生料,原料包括高硅铝土矿、煤矸石、含钙固废、煤粉和纯碱,均化生料进入胚料成型单元进行成型得到胚料;胚料烧结单元对胚料程序升温焙烧,焙烧温度范围为800-1100℃。

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