[发明专利]光收发器中使用高导热界面材料的从激光器管芯的热提取路径

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

衬底；

陶瓷载体，安装到所述衬底；

集成电路(IC)管芯，安装到所述陶瓷载体，以及

离开所述IC管芯的热提取路径，所述热提取路径包括：

在所述IC管芯之上的热界面材料，所述热界面材料具有约25至80μm的厚度；

在所述热界面材料之上的集成散热器；

在所述集成散热器之上的陶瓷载板；以及

在所述陶瓷载板和所述半导体封装的壳体之间的导电热间隙垫。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述热提取路径还包括集成无源设备(IPD)或热沉管芯(HSD)中的至少一个。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述IPD或所述HSD中的所述至少一个经由铜柱安装到所述IC管芯的顶表面。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述IPD在所述IC管芯的第一部分上，并且所述HSD在所述IC管芯的第二部分之上。

5.根据权利要求2、3或4所述的半导体封装，其中，所述热界面材料在所述IPD或所述HSD中的所述至少一个之上。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述热界面材料(TIM)在所述IPD或所述HSD两者之上，并且所述TIM的在所述IPD之上的第一部分和所述TIM的在所述HSD之上的第二部分之间存在间隙。

7.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体封装，其中，所述集成散热器包括铜。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述集成散热器的厚度约为1.6毫米。

9.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体封装，其中，所述陶瓷载板包括氮化铝(AlN)。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述陶瓷载板的厚度约为0.38mm。

11.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体封装，其中，所述导电热间隙垫的厚度约为0.6毫米。

12.根据权利要求1、2、3或4所述的半导体封装，其中，所述热提取路径将所述IC管芯的顶部上的操作温度与所述壳体的操作温度维持在6-7℃的温度差量内。

13.一种光收发器封装，包括：

印刷电路板组件(PCBA)；

陶瓷载体或硅中介层，安装到所述PCBA；

激光器管芯，安装到所述陶瓷载体或所述硅中介层；以及

离开所述激光器管芯的热提取路径，所述热提取路径包括：

集成无源设备(IPD)，在所述激光器管芯的第一部分上；

热沉管芯(HSD)，在所述激光器管芯的第二部分之上；

热界面材料，在所述IPD和所述HSD两者之上；

铜集成散热器，在所述热界面材料之上；

陶瓷载板，在所述铜集成散热器之上；以及

导电热间隙垫，在所述陶瓷载板与所述光学半导体封装的壳体之间。

14.根据权利要求13所述的光收发器封装，其中，所述热界面材料的厚度约为25μm至80μm。

15.根据权利要求13所述的光收发器封装，其中，所述热界面材料(TIM)在所述IPD或所述HSD两者之上，并且所述TIM的在所述IPD之上的第一部分与所述TIM的在所述HSD之上的第二部分之间存在间隙。

16.根据权利要求13、14或15所述的光收发器封装，还包括激光器驱动器管芯，所述激光器驱动器管芯与所述PCBA上的所述激光器管芯相邻安装。