[发明专利]具有锗扩散纳米带沟道结构的全环栅集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

在子鳍状物结构上方的纳米线的垂直布置，其中，所述纳米线的垂直布置中的各个纳米线包括硅和锗，并且其中，所述子鳍状物结构在所述子鳍状物结构的顶部处具有比在所述子鳍状物结构的底部处相对更高的锗浓度。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述子鳍状物结构的所述底部不包括锗。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括：

在所述纳米线的垂直布置之上的栅极堆叠体。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，还包括：

在所述纳米线的垂直布置的横向端部处的外延源极或漏极结构。

5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述外延源极或漏极结构是非分立外延源极或漏极结构。

6.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述外延源极或漏极结构是分立外延源极或漏极结构。

7.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述子鳍状物结构从衬底延伸。

8.一种集成电路结构，包括：

在衬底上方的纳米线的第一垂直布置，其中，所述纳米线的第一垂直布置中的各个纳米线包括硅；

在所述衬底上方的纳米线的第二垂直布置，其中，所述纳米线的第二垂直布置中的各个纳米线包括硅和锗，并且其中，所述纳米线的第二垂直布置中的各个纳米线与所述纳米线的第一垂直布置中的对应各个纳米线在相同平面中。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述纳米线的第一垂直布置在包括硅的第一子鳍状物结构上方，并且其中，所述纳米线的第二垂直布置在包括硅和锗的第二子鳍状物结构上方。

10.根据权利要求9所述的集成电路结构，其中，所述第二子鳍状物结构在所述第二子鳍状物结构的顶部处具有比在所述第二子鳍状物结构的底部处相对更高的锗浓度。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，所述第二子鳍状物结构的所述底部不包括锗。

12.根据权利要求8、9、10或11所述的集成电路结构，其中，所述纳米线的第一垂直布置中的各个纳米线基本由硅组成。

13.一种计算设备，包括：

板；以及

耦合到所述板的部件，所述部件包括集成电路结构，所述集成电路结构包括：

在子鳍状物结构上方的纳米线的垂直布置，其中，所述纳米线的垂直布置中的各个纳米线包括硅和锗，并且其中，所述子鳍状物结构在所述子鳍状物结构的顶部处具有比在所述子鳍状物结构的底部处相对更高的锗浓度。

14.根据权利要求13所述的计算设备，还包括：

耦合到所述板的存储器。

15.根据权利要求13或14所述的计算设备，还包括：

耦合到所述板的通信芯片。

16.根据权利要求13或14所述的计算设备，还包括：

耦合到所述板的相机。

17.根据权利要求13或14所述的计算设备，还包括：

耦合到所述板的电池。

18.根据权利要求13或14所述的计算设备，还包括：

耦合到所述板的天线。

19.根据权利要求13或14所述的计算设备，其中，所述部件是封装集成电路管芯。

20.根据权利要求13或14所述的计算设备，其中，所述部件选自由处理器、通信芯片和数字信号处理器组成的组。