[发明专利]一种三维封装结构及制备方法

权利要求书

1.一种三维封装结构，其特征在于，包括：

塑封结构，所述塑封结构包括塑封层和位于所述塑封中的第一芯片；

第二芯片晶圆，与所述塑封结构键合在一起，所述第二芯片晶圆与所述第一芯片电连接。

2.根据权利要求1所述的三维封装结构，其特征在于，所述塑封结构还包括：第一导电键合层，所述第一导电键合层位于部分所述塑封层的一侧；

所述第二芯片晶圆包括：半导体衬底层和集成在所述半导体衬底层中的器件层；第二导电键合层，所述第二导电键合层位于部分所述器件层的表面，所述第二导电键合层与所述第一导电键合层相互键合。

3.根据权利要求2所述的三维封装结构，其特征在于，所述第一导电键合层包括焊盘，所述第二导电键合层包括凸块。

4.根据权利要求2所述的三维封装结构，其特征在于，还包括：位于部分所述塑封结构和部分所述第二芯片晶圆之间的热塑性膜层，所述热塑性膜层位于所述第一导电键合层和所述第二导电键合层的侧部。

5.根据权利要求4所述的三维封装结构，其特征在于，所述热塑性膜层的材料包括热塑性树脂。

6.根据权利要求2所述的三维封装结构，其特征在于，所述第一导电键合层的材料包括：铜或铜镍合金；所述第二导电键合层的材料包括：锡铟合金。

7.根据权利要求2所述的三维封装结构，其特征在于，所述塑封结构还包括：第一重布线结构，所述第一芯片倒装于所述第一重布线结构上，所述第一芯片与所述第一重布线结构电连接；

所述塑封层位于所述第一重布线结构的一侧且包覆所述第一芯片；

第二重布线结构，位于所述塑封层背向所述第一重布线结构的一侧表面；

导电柱，贯穿所述塑封层，位于所述第一芯片的侧部，所述导电柱与所述第二重布线结构和所述第一重布线结构电连接；

所述第一导电键合层位于部分所述第二重布线结构背向所述第一重布线结构的一侧表面，所述第一导电键合层与所述第二重布线结构电连接。

8.根据权利要求7所述的三维封装结构，其特征在于，还包括：若干第一焊球，所述第一焊球位于所述第一重布线结构背向所述塑封层一侧表面。

9.一种三维封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成塑封结构，所述塑封结构包括塑封层和位于所述塑封中的第一芯片；

形成第二芯片晶圆；

将所述第二芯片晶圆和所述塑封结构键合在一起，所述第二芯片晶圆与所述第一芯片电连接。

10.根据权利要求9所述的三维封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述塑封结构的步骤包括：在部分所述塑封层的一侧形成第一导电键合层；

形成所述第二芯片晶圆的步骤包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层中集成形成器件层；在部分所述器件层的表面形成第二导电键合层；

将所述第二芯片晶圆和所述塑封结构键合在一起的步骤包括：通过所述第二导电键合层与所述第一导电键合层的键合，将所述第二芯片晶圆和所述塑封结构键合在一起。

11.根据权利要求10所述的三维封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述第二芯片晶圆和所述塑封结构键合之前，形成覆盖所述器件层和所述第二导电键合层的初始热塑性膜；

将所述第二芯片晶圆和所述塑封结构键合在一起的步骤包括：在第二导电键合层与所述第一导电键合层的键合之前，将第二芯片晶圆和所述塑封结构相对设置，第一导电键合层朝向所述第二导电键合层；将第二芯片晶圆和所述塑封结构压合以使得初始热塑性膜形成位于所述第一导电键合层和第二导电键合层侧部的热塑性膜层。