[发明专利]一种热控多波带锑化铟完美吸波体及其应用

权利要求书

1.一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，包括从上到下依次排布的锑化铟图案层、二氧化硅中间介质层、金属基底层，所述锑化铟图案层由结构单元周期性排列构成，所述结构单元为方括号形状体，改变方括号形状体的参数以实现锑化铟完美吸收峰从2个自由调谐到5个，可改变参数包括左侧方括号形状体的侧边宽度w₁、左侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w₂、右侧方括号形状体的侧边宽度w₃、右侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w₄、方括号形状体内侧边到中心轴的距离d中的一个。

2.根据权利要求1所述的一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，左侧方括号形状体的侧边宽度w_1＝5μm～9μm，左侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w_2＝3μm～5μm，右侧方括号形状体的侧边宽度w_3＝5μm～9μm，右侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w_4＝3μm～5μm，方括号形状体内侧边到中心轴的距离d_＝5.4μm～7.4μm。

3.根据权利要求2所述的一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，锑化铟图案层的结构单元的左侧方括号形状体的侧边宽度w₁、左侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w₂、右侧方括号形状体的侧边宽度w₃、右侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w₄的参数设置为w₁＝w₂＝w₃＝w₄＝5μm，方括号形状体内侧边到中心轴的距离d_＝7.4μm以实现产生3个100％的完美吸收峰。

4.根据权利要求1所述的一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，所述结构单元沿x、y轴的周期P_x＝P_y＝34.5μm～35.5μm，方括号形状体外侧边的长度l₁＝14.9μm～15.1μm，方括号形状体的上下两边的宽度l_2＝4.9μm～5.1μm。

5.根据权利要求4所述的一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，锑化铟图案层的结构单元参数设置为：方括号形状体外侧边的长度l₁＝15μm,方括号形状体的上下两边的宽度l₂＝5μm，结构单元沿x、y轴的周期为P_x＝P_y＝35μm，锑化铟图案层厚度为0.75μm～0.85μm。

6.根据权利要求1所述的一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，所述二氧化硅中间介质层的介电常数为3.09，厚度为14.5μm～15.5μm。

7.根据权利要求1所述的一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，所述金属基底层的材料为金，其电导率为4.09×10⁷S/m。

8.权利要求1-7任一权利要求所述的一种热控多波带锑化铟完美吸波体在热控滤波、热生物传感领域的应用。