[发明专利]栅控二极管整流器在审
| 申请号： | 202111389575.3 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN113823679A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 廖天;高巍;顾航;戴茂州 | 申请（专利权）人： | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 整流器 | ||
1.一种栅控二极管整流器，其特征在于：包括金属化阴极（1），重掺杂第一导电类型衬底层（2），第一导电类型漂移层（3），P型基区（4），N+源区（5）和栅极结构；
所述重掺杂第一导电类型衬底层（2）覆盖于金属化阴极（1）之上；
所述第一导电类型漂移层（3）覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层（2）之上；
所述P型基区（4）通过离子注入形成于第一导电类型漂移层（3）之上的部分表面，P型基区（4）之间的第一导电类型漂移层（3）为JFET区；
所述N+源区（5）通过离子注入形成于P型基区（4）内部上方；N+源区（5）靠近JFET一侧的边界与P型基区（4）靠近JFET一侧的边界的距离为MCR器件的沟道区；
所述栅极结构为平面栅结构，包括栅氧化层（6）、多晶硅层（7）和金属化阳极（8），其中，栅氧化层（6）覆盖于第一导电类型漂移层（3）之上，其在横向上覆盖了MCR器件的沟道区与部分N+源区（5）上表面，多晶硅层（7）覆盖于栅氧化层（6）之上，所述金属化阳极（8）覆盖于多晶硅层（7）与第一导电类型漂移层（3）之上；
金属化阳极（8）与P型基区（4）接触形成肖特基接触区（9）。
2.根据权利要求1所述的栅控二极管整流器，其特征在于：金属化阳极（8）为槽型源极，槽型源极通过刻蚀第一导电类型漂移层（3）中的部分N+源区（5）和部分P型基区（4）形成，阳极金属填充于槽型源中。
3.根据权利要求1所述的栅控二极管整流器，其特征在于：肖特基接触区（9）通过调整P型基区掺杂浓度实现。
4.根据权利要求1所述的栅控二极管整流器，其特征在于：肖特基接触区（9）通过在P型基区表面进行反掺杂N型杂质实现。
5.根据权利要求1所述的栅控二极管整流器，其特征在于：重掺杂第一导电类型衬底层（2）的掺杂浓度大于1e18cm-3。
6.一种栅控二极管整流器，其特征在于：
包括金属化阴极（1），重掺杂第一导电类型衬底层（2），第一导电类型漂移层（3），P型基区（4），N+源区（5）和栅极结构；
所述重掺杂第一导电类型衬底层（2）覆盖于金属化阴极（1）之上；
所述第一导电类型漂移层（3）覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层（2）之上；
所述P型基区（4）通过离子注入形成于第一导电类型漂移层（3）之上的部分表面，所述N+源区（5）通过离子注入形成于P型基区（4）内部上方；
栅极结构是沟槽栅结构， N+源区（5）沿注入方向的结深到同方向P型基区（4）结深的距离为MCR器件的沟道区；所述栅极结构包含栅氧化层（6），多晶硅层（7）和金属化阳极（8），其中，栅氧化层（6）和多晶硅层（7）依次形成于第一导电类型漂移层（3）上方区域体内，其在离子注入方向上覆盖了MCR器件的沟道区；
所述金属化阳极（8）覆盖于P型基区（4）、栅极结构及N+源区（5）之上，金属化阳极（8）与P型基区（4）接触形成肖特基接触区（9）。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都蓉矽半导体有限公司，未经成都蓉矽半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111389575.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
