[发明专利]一种改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置及操作方法

权利要求书

1.一种改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置的操作方法，其特征在于：

其装置包括：包括加工箱（1）以及分别与加工箱（1）的表面连通的进料输送带（2）和出料输送带（3），其特征在于：所述加工箱（1）的内腔设置有用于打磨硅单晶的打磨机构、用于固定硅单晶的限位机构、用于放置硅单晶的放置机构和用于翻转硅单晶的翻转机构，打磨机构包括三轴机器人（4）以及固定在三轴机器人（4）运动端表面的打磨盘（5）；

翻转机构包括固定在加工箱（1）内腔的后固定板（6）、第一固定座（7）、第二固定座（8）和驱动电机（9）；

所述后固定板（6）的正面固定连接有前固定板（10），所述后固定板（6）的内腔开设有平滑槽（11），所述前固定板（10）的内腔开设有V型滑槽（12），所述后固定板（6）和前固定板（10）之间活动连接有翻转板（13），所述翻转板（13）的一侧固定连接有夹持气缸（14），所述翻转板（13）的内腔转动连接有转动杆（15）和限位销（20），所述转动杆（15）活动镶嵌在平滑槽（11）的内腔，所述限位销（20）活动镶嵌在V型滑槽（12）的内腔；

其方法步骤为：

步骤一、通过进料输送带（2）对硅单晶进行输送，通过放置机构进行放置；

步骤二、通过三轴机器人（4）带动打磨盘（5）运动对硅单晶的表面进行打磨；

步骤三、顶部打磨完毕之后，限位机构复位，硅单晶限位板（24）升起，此时翻转机构启动，带动翻转板（13）翻转一百八十度将硅单晶翻转角度放置在左侧的放置机构内，进行底部的打磨，两面打磨完毕后通过出料输送带（3）输出完成加工。

2.根据权利要求1所述的一种改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置的操作方法，其特征在于：所述第二固定座（8）的表面转动连接有连接架（16），所述连接架（16）的内腔通过滑动槽滑动连接有第一滑动块（17），所述转动杆（15）的一端贯穿并延伸至第一滑动块（17）的内腔，所述转动杆（15）的表面与第一滑动块（17）的内腔转动连接。

3.根据权利要求2所述的一种改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置的操作方法，其特征在于：所述第一固定座（7）的表面转动连接有支撑架（18），所述连接架（16）的内腔通过滑动槽滑动连接有第二滑动块（19），所述支撑架（18）的表面转动连接有与第二滑动块（19）的内腔转动连接的转杆。

4.根据权利要求3所述的一种改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置的操作方法，其特征在于：所述驱动电机（9）输出轴的一端贯穿第一固定座（7）的背面并延伸至第一固定座（7）的正面，所述驱动电机（9）输出轴的表面与支撑架（18）的内腔固定连接。

5.根据权利要求1所述的一种改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置的操作方法，其特征在于：所述V型滑槽（12）两端为矩形槽，中部为向下凹陷的V槽。

6.根据权利要求1所述的一种改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置的操作方法，其特征在于：限位机构包括固定在加工箱（1）内腔的升降架（21），所述升降架（21）右侧滑动连接有通过电机驱动的升降板（22），所述升降板（22）的顶部固定连接有转动电机（23），所述转动电机（23）活塞杆的底端固定连接有硅单晶限位板（24）。

7.根据权利要求1所述的一种改善大尺寸硅单晶外延厚度均匀性的装置的操作方法，其特征在于：放置机构包括固定在加工箱（1）内腔的放置台（25），所述放置台（25）的顶部转动连接有限位盘（26），所述放置台（25）设置有两个，且在翻转机构的两侧对称分布。