[发明专利]鳍结构表面氧化层均匀化的方法

权利要求书

1.一种鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，包含：

S1：在鳍结构的中间生成的浅道隔离层被第一次化学机械抛光后第一硬掩模层被暴露出来后，继续对浅道隔离层进行凹陷去除，且将第一硬掩模层的底部部分的去除形成凹槽；

S2：对凹槽进行侧面氧化，凹槽对应鳍结构的顶面-侧面转角处比其他部分更容易氧化。

2.根据权利要求1所述的鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，在步骤S1之前，还包含：

SP1：在硅衬底上形成垫氧化层，在垫氧化层上形成第一硬掩膜层，图案化该第一硬掩膜层，再以图案化后的第一硬掩膜层为基础刻蚀形成鳍结构；

SP2：在鳍结构的侧墙、鳍结构之间的槽底上沉积形成第一氧化层，再在第一氧化层、垫氧化层、第一硬掩膜层的上沉积第二硬掩膜层；

SP3：沉积形成浅沟道隔离层。

3.根据权利要求2所述的鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，在步骤S2之后，还包含：

SR1：去除第一硬掩膜层；

SR2：对浅沟道隔离层进行第二次化学机械抛光，将鳍结构覆盖的垫氧化层-第一氧化层、第二硬掩膜层、浅道隔离层都去除同一深度，至鳍结构部分地露出，形成槽，槽底存在未被去除的浅沟道隔离层、第一氧化层、第二硬掩膜层；

SR3：对露出的鳍结构进行氧化工艺以形成表面氧化层。

4.根据权利要求3所述的鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，在步骤SR3之后，还包含：

SR4：采用氮化和退火工艺，驱使氮进入到表面氧化层并将氮保持在表面氧化层中；

SR5：沉积多晶硅并图案化以形成栅结构。

5.根据权利要求1所述的鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，在步骤S1中，鳍结构未被暴露，鳍结构的上方还覆盖有第一硬掩模层，凹槽处还覆盖有垫氧化层和/或第一氧化层。

6.根据权利要求2所述的鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，在步骤SP3中，采用采用流体化学气相沉积法沉积形成浅沟道隔离层。

7.根据权利要求3所述的鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，在步骤SR3中，采用原位水汽氧化工艺生长以形成表面氧化层。

8.根据权利要求2所述的鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层、第二硬掩模层为氮化硅。

9.根据权利要求4所述的鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，在步骤SR4中，采用去耦合等离子体氮化工艺，再进行氮化后退火工艺，将等离子态的氮注入到鳍结构的表面氧化层中。

10.根据权利要求1所述的鳍结构表面氧化层均匀化的方法，其特征在于，形成的鳍结构的顶部的两个转角边缘为圆弧形。