[发明专利]一种计算Q-Factor的电路、方法、装置及电子设备

权利要求书

1.一种计算Q-Factor的电路，其特征在于，包括：

滤波电路、谐振网络、第一检测电路和控制电路；

所述滤波电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、第二电容C2、放大器和比较器；

所述谐振网络分别与所述控制电路和所述第一电阻R1的第一端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述放大器连接，所述谐振网络用于在所述控制电路的控制下形成自振荡信号；

所述放大器分别与所述第二电阻R2的第一端和所述第三电阻R3的第一端连接；

所述第二电阻R2的第二端分别与所述第一电容C1的第一端以及所述比较器的第一输入口连接；

所述第三电阻R3的第二端分别与所述第一电容C1的第二端、第二电容C2的第一端以及所述比较器的第二输入口连接；

所述第二电容C2的第二端接地；

所述比较器与所述第一检测电路连接，所述第一检测电路用于接收所述谐振网络的自振荡信号经过所述滤波电路处理后输出的信号，并将滤波处理后的波形图传输到所述控制电路中；

所述第一检测电路与所述控制电路连接，所述控制电路还用于分析并使用所述第一检测电路传输的信号计算出所述波形图的中电压到达预设电压值的节点时间T以及自振荡开始时最高点电压，并使用所述节点时间T、所述最高点电压和所述预设电压值进行Q-Factor的计算。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述谐振网络包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电感Lp、电容Cp、二极管D1、第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管；

所述MOS管Q1通过源极和漏极和所述第一二极管连接；

所述MOS管Q2通过源极和漏极和所述第二二极管连接；

所述MOS管Q3通过源极和漏极和所述第三二极管连接；

所述MOS管Q4通过源极和漏极和所述第四二极管连接；

所述电感Lp的第一端分别与所述控制电路和所述MOS管Q1的栅极连接；

所述电容Cp的第一端分别与所述MOS管Q2的源极以及所述MOS管Q3的漏极连接；

所述MOS管Q1的漏极和所述MOS管Q2的漏极连接之后，与所述控制电路连接；

所述MOS管Q3的源极接地；

所述MOS管Q4的源极接地；

所述电感Lp的第二端和所述电容Cp的第二端连接后，所述电感Lp的第二端和所述电容Cp的第二端的连接点与所述二极管D1连接；

所述二极管D1与所述滤波电路的所述第一电阻R1连接；

所述控制电路分别与所述MOS管Q1的栅极、所述MOS管Q2的栅极、所述MOS管Q3的栅极和所述MOS管Q4的栅极连接，所述控制电路用于控制所述MOS管Q1、所述MOS管Q2、所述MOS管Q3和所述MOS管Q4的导通和断开，以控制所述谐振网络的工作模式。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电路还包括外部电源接口，所述外部电源接口分别与所述MOS管Q1的漏极和所述MOS管Q2的漏极的连接点以及所述控制电路连接，所述外部电源接口用于接入外部电源。

4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述控制电路包括微控制单元控制芯片，所述微控制单元控制芯片用于控制所述MOS管Q1、所述MOS管Q2、所述MOS管Q3和所述MOS管Q4的导通和关断，所述微控制单元控制芯片用于计算Q-Factor。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述控制电路还包括模数转换器，所述模数转换器用于分析所述第一检测电路传输的波形图，并将分析结果传输到所述微控制单元控制芯片。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电路，其特征在于，所述控制电路还包括存储模块，所述存储模块用于进行数据存储。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第二检测电路，所述第二检测电路分别与所述谐振网络和所述控制电路连接，所述第二检测电路用于接收并处理所述谐振网络的自振荡输出的信号，并将未滤波处理的波形图传输到所述控制电路中。