[发明专利]可调频环路振荡器在审

专利信息
申请号: 202111391115.4 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN114124042A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 罗杰;梁爱梅;温长清 申请(专利权)人: 深圳市紫光同创电子有限公司
主分类号: H03K3/03 分类号: H03K3/03;H03K3/011;H03K3/013
代理公司: 深圳国新南方知识产权代理有限公司 44374 代理人: 姜宇
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 调频 环路 振荡器
【权利要求书】:

1.一种可调频环路振荡器,包括LDO单元和VCO环路振荡单元,所述LDO单元包括LDO供电电路和LDO偏置电流修调电路,所述LDO供电电路与所述LDO偏置电流修调电路配合为所述VCO环路振荡单元提供电压与预设偏置电流,所述VCO环路振荡单元根据电压与预设偏置电流产生振荡时钟信号。

2.根据权利要求1所述的可调频环路振荡器,其特征在于,所述LDO供电电路中运算放大器AMP1将VREF1缓冲电压拷贝到电阻分压网络经由串联电阻R0和接地电阻R1分压,VREF1缓冲电压再经过运算放大器AMP2和接地电阻R2分压得到目标电压为VCO环路振荡单元供电。

3.根据权利要求1所述的可调频环路振荡器,其特征在于,所述LDO偏置电流修调电路包括运算放大器AMP3的LDO,其中,所述运算放大器AMP3先将VREF2缓冲电压输出驱动连接的PMOS管PM1,再以电流镜的形式将电流复制给与PMOS管PM1连接的PMOS管PM0,PMOS管PM0漏电流为VCO环路振荡单元提供偏置电流,PMOS管PM1漏电端连通接地电阻R3与运算放大器AMP3正极。

4.根据权利要求3所述的可调频环路振荡器,其特征在于,所述LDO偏置电流修调电路还包括LDO缓冲电路,所述LDO缓冲电路由输出电压驱动PMOS管PM5将电压转化成电流,将所述PMOS管PM5漏端的电流经连接的PMOS管NM2采用二极管连接方式接入转化成电压,再通过PMOS管PM5和PMOS管NM2以电流镜的方式输出给到连接的PMOS管PM6阵列和PMOS管NM3阵列两个并排的P/N MOS管阵列的栅端。

5.根据权利要求4所述的可调频环路振荡器,其特征在于,所述LDO缓冲电路还包括PMOS管PM5栅端与PMOS管PM4栅端连通,PMOS管PM4漏端接入接地电阻R4,PMOS管PM4漏端串接PMOS管NM0栅端,PMOS管NM0与PMOS管NM1漏端并联接入PMOS管NM4源极,PMOS管NM4漏端与PMOS管NM2、PMOS管NM3阵列的漏端并联。

6.根据权利要求5所述的可调频环路振荡器,其特征在于,所述LDO缓冲电路还包括PMOS管PM2与PMOS管PM3栅端连通,PMOS管NM0与PMOS管PM2的源极连通,PMOS管PM2与PMOS管PM3栅端连通线上设有互连线接入PMOS管NM0与PMOS管PM2的源极,PMOS管PM3与PMOS管NM1的源极并联接入PMOS管PM4的栅端。

7.根据权利要求4所述的可调频环路振荡器,其特征在于,所述P/N MOS管阵列通电流端并联接入PMOS管PM1漏电端与接地电阻R3之间。

8.根据权利要求7所述的可调频环路振荡器,其特征在于,所述LDO缓冲电路还包括译码器模块,所述译码器模块用于选通P/N MOS管阵列开关P/NMOS的路径。

9.根据权利要求8所述的可调频环路振荡器,其特征在于,所述译码器模块采用0~255编码可编程配置选通。

10.根据权利要求9所述的可调频环路振荡器,其特征在于,所述译码器模块可编程选通P/N MOS管阵列,从而调整节点电流以及电流的流向。

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