[发明专利]一种品质因数的检测电路、方法、装置及电子设备

权利要求书

1.一种品质因数的检测电路，其特征在于，包括：

波形过滤电路、谐振电路、检测电路、电源和主控制电路；

所述电源分别与所述谐振电路和所述主控制电路连接；

所述主控制电路中包含数模转换器ADC和控制芯片，所述模数转换器用于分析所述检测电路传输的波形图，并将分析结果传输到所述控制芯片，所述控制芯片用于计算品质因数；

所述波形过滤电路包括第一二极管D2、第二二极管D3、稳压二极管D1和电阻R1；

所述谐振电路与所述主控制电路连接，所述谐振电路用于形成电路自振荡信号；

所述电阻R1的第一端与所述谐振电路连接；

所述电阻R1的第二端分别与所述第一二极管D3的负极、所述第二二极管D2的正极以及所述检测电路连接，所述检测电路用于接收经过所述波形过滤电路处理后输出的信号，并传输到所述主控制电路的所述数模转换器ADC中；

所述第一二极管D3的正极分别与所述第二二极管D2的负极、所述稳压二极管D1的负极连接；

所述稳压二极管的正极接地；

所述第二二极管的负极接地；

所述检测电路与所述主控制电路连接，所述主控制电路用于控制谐振电路形成自振荡信号，所述主控制电路还用于使用所述控制芯片进行品质因数的计算。

2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述谐振电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电感Lp、电容Cp、二极管D1、第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管；

所述MOS管Q1通过源极和漏极和所述第一二极管连接；

所述MOS管Q2通过源极和漏极和所述第二二极管连接；

所述MOS管Q3通过源极和漏极和所述第三二极管连接；

所述MOS管Q4通过源极和漏极和所述第四二极管连接；

所述电感Lp的第一端分别与所述控制电路和所述MOS管Q1的栅极连接；

所述电容Cp的第一端分别与所述MOS管Q2的源极以及所述MOS管Q3的漏极连接；

所述MOS管Q1的漏极和所述MOS管Q2的漏极连接之后，与所述控制电路连接；

所述MOS管Q3的源极和所述MOS管Q4的源极分别接地；

所述电感Lp的第二端和所述电容Cp的第二端连接后，所述电感Lp的第二端和所述电容Cp的第二端的连接点与所述二极管D1连接；

所述二极管D1与所述滤波电路的所述第一电阻R1连接；

所述控制电路分别与所述MOS管Q1的栅极、所述MOS管Q2的栅极、所述MOS管Q3的栅极和所述MOS管Q4的栅极连接，所述控制电路用于控制所述MOS管Q1、所述MOS管Q2、所述MOS管Q3和所述MOS管Q4的导通和断开。

3.一种品质因数的检测方法，其特征在于，包括：

使用谐振电路进行自振荡信号的生成；

通过滤波电路对所述谐振电路的自振荡信号进行波谷消去处理，所述波形过滤电路包括第一二极管D2、第二二极管D3、稳压二极管D1和电阻R1，所述谐振电路与所述主控制电路连接，所述谐振电路用于形成电路自振荡信号，所述电阻R1的第一端与所述谐振电路连接，所述电阻R1的第二端分别与所述第一二极管D3的负极、所述第二二极管D2的正极以及所述检测电路连接，所述检测电路用于接收经过所述波形过滤电路处理后输出的信号，并传输到所述主控制电路的所述数模转换器ADC中，所述第一二极管D3的正极分别与所述第二二极管D2的负极、所述稳压二极管D1的负极连接，所述稳压二极管的正极接地，所述第二二极管的负极接地，所述检测电路与所述主控制电路连接；

通过所述检测电路对所述自振荡信号进行信号转换，并传输到所述主控制电路中的数模转换器ADC；

通过所述控制电路中的数模转换器ADC对所述转换后的自振荡信号进行波形图分析，计算出所述自振荡信号对应的的波形图的波峰个数；

通过所述控制电路中的控制芯片并根据所述波峰个数进行品质因数的计算。