[发明专利]单相暖白光荧光陶瓷及其制备方法和应用有效
申请号: | 202111395190.8 | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN114031400B | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
发明(设计)人: | 曹永革;文子诚;唐巍;左传东;李英魁 | 申请(专利权)人: | 松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C09K11/08 | 分类号: | C09K11/08;C04B35/495;C04B35/622;F21V9/30 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 宋南 |
地址: | 523808 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单相 白光 荧光 陶瓷 及其 制备 方法 应用 | ||
1.单相暖白光荧光陶瓷,其特征在于,为Dy3+掺杂的Ba(Zr,Mg,Ta)O3透明陶瓷,化学组成为aDy3+:Ba(ZrxMgyTaz)O3;
其中,a为0.01~0.05,x+y+z=1,y﹕z=1﹕2;
在紫外光的激发下,发出暖白光,且直线透过率为65%~70%@600nm;
在紫外光的激发下的色度坐标CIE为(0.40~0.43,0.40~0.43);
所述紫外光的激发波长为270~295nm。
2.根据权利要求1所述的单相暖白光荧光陶瓷,其特征在于,x为0.1~0.2。
3.权利要求1或2所述的单相暖白光荧光陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
依据所述化学组成称取Dy源、Ba源、Zr源、Mg源和Ta源,与助剂混合得到混合物料,球磨后,进行煅烧、压片和烧结处理。
4.根据权利要求3所述的单相暖白光荧光陶瓷的制备方法,其特征在于,所述Dy源、Ba源、Zr源、Mg源和Ta源分别为Dy2O3、BaCO3、ZrO2、MgO和Ta2O5;
所述助剂包括分散剂、粘结剂和烧结助剂。
5.根据权利要求3所述的单相暖白光荧光陶瓷的制备方法,其特征在于,所述煅烧的条件包括:所述煅烧的温度为1300~1400℃,所述煅烧的时间为1~10h。
6.根据权利要求3所述的单相暖白光荧光陶瓷的制备方法,其特征在于,所述烧结的条件包括:在含氧气氛下于1500~1600℃条件下烧结1~10h。
7.权利要求1或2所述的单相暖白光荧光陶瓷在照明领域中的应用。
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