[发明专利]高透光透明陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 202111395312.3 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN113943176A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吴倩颖;张祥;高国忠;袁厚呈;王健;邹海民;张锡祥;孙钰晶 | 申请（专利权）人： | 江苏铁锚玻璃股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 李潇 |
| 地址： | 226600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透光 透明 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种高透光透明陶瓷，其特征在于，包括：
透明陶瓷基材；
第一氧化铌膜层，设置于所述透明陶瓷基材上；
第一氧化硅膜层，设置于所述第一氧化铌膜层上；
第二氧化铌膜层，设置于所述第一氧化硅膜层上；
第二氧化硅膜层，设置于所述第二氧化铌膜层上；
缓冲层，设置于所述第二氧化硅膜层上。
2.根据权利要求1所述的高透光透明陶瓷，其特征在于，所述第一氧化铌膜层的厚度为41-50nm。
3.根据权利要求1所述的高透光透明陶瓷，其特征在于，所述第一氧化硅膜层的厚度为30-40nm。
4.根据权利要求1所述的高透光透明陶瓷，其特征在于，所述第二氧化铌膜层的厚度为30-40nm。
5.根据权利要求1所述的高透光透明陶瓷，其特征在于，所述第二氧化硅膜层的厚度为30-40nm。
6.根据权利要求1所述的高透光透明陶瓷，其特征在于，所述缓冲层使用氧化铝膜层，厚度为20-30nm。
7.根据权利要求1所述的高透光透明陶瓷，其特征在于，所述缓冲层使用SiNx膜层，厚度为15-20nm。
8.一种上述权利要求1-7中任意一项所述的高透光透明陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
首先按照设计膜系，确定每层靶材种类，再按照缓冲层、第二氧化硅膜层、第二氧化铌膜层、第一氧化硅膜层、第一氧化铌膜层及透明陶瓷基材次排列；
抽真空至4.0-3Pa，并充入氩气和氧气；
开启所需要靶位的电源，设置直流靶材的功率，送进透明陶瓷基材，依次经过各种溅射靶镀制复合膜层，完成第一面镀制后取出，反转镀制第二面，完成后即可获得高透光透明陶瓷。
9.根据权利要求8所述的高透光透明陶瓷的制备方法，其特征在于，所述氩气的流量控制为100sccm，所述氧气的流量控制为60-80sccm。
10.根据权利要求8所述的高透光透明陶瓷的制备方法，其特征在于，所述第一氧化铌膜层和所述第二氧化铌膜层的靶材使用金属铌或者氧化铌靶，所述第一氧化硅膜层和所述第二氧化硅膜层的靶材使用硅靶，所述缓冲层的靶材使用金属铝靶或者氮气。
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