[发明专利]一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用在审
申请号: | 202111395632.9 | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN116144015A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 方书农;王溯;耿志月;崔中越 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司 |
主分类号: | C08G67/04 | 分类号: | C08G67/04;G03F7/004 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 陈卓 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 193 nm 光刻 添加剂 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种光刻胶在光刻工艺中的应用,其特征在于,所述光刻胶包括如下原料:如式I所示的添加剂、如式(L)所示的树脂、光致产酸剂和溶剂;所述添加剂的重均分子量为1000~3000;所述添加剂的重均分子量/数均分子量比值为1~5;
2.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述添加剂采用下列方法制得,其制备方法包括以下步骤:
S1:有机溶剂中,将化合物B1与L-酒石酸二甲酯和对甲苯磺酸进行缩醛反应,制得化合物C1即可;所述化合物B1为
S2:溶剂中,在碱的作用下,将所述化合物C1进行酯水解反应,制得化合物D1即可;
S3:有机溶剂中,将所述化合物D1与4-二甲基氨基吡啶进行聚合反应,制得如式I所示的添加剂即可。
3.如权利要求2所述的应用,其特征在于,所述添加剂的制备方法中,S1中,所述有机溶剂为芳烃类溶剂;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S1中,所述化合物B1与所述L-酒石酸二甲酯摩尔比为1:(1~1.5);
和/或,所述添加剂的制备方法中,S1中,所述化合物B1与所述对甲苯磺酸摩尔为1:(0.02~0.04);
和/或,所述添加剂的制备方法中,S1中,所述缩醛反应的反应时间为26小时~60小时;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S2中,所述溶剂为酮类溶剂;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S2中,所述碱为无机碱;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S2中,所述化合物C1与所述溶剂的摩尔体积比为0.1~0.7mol/L;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S2中,所述酯水解反应的时间为3小时~15小时;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述有机溶剂为酸酐类溶剂;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述4-二甲基氨基吡啶与所述化合物D1摩尔比为1:(900~1500);
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述有机溶剂与所述化合物D1的摩尔比为3:1~7:1;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述聚合反应的时间为3小时~20小时;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述聚合反应的温度为100~200℃。
4.如权利要求2所述的应用,其特征在于,所述添加剂的制备方法中,S1中,所述有机溶剂为甲苯;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S1中,所述化合物B1与所述L-酒石酸二甲酯摩尔比为1:1;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S1中,所述化合物B1与所述对甲苯磺酸摩尔为1:0.029;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S1中,所述缩醛反应的反应时间为48小时;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S2中,所述溶剂为N-甲基吡咯烷酮;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S2中,所述碱为氢氧化钾和/或氢氧化钠;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S2中,所述化合物C1与所述溶剂的摩尔体积比为0.5mol/L;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S2中,所述酯水解反应的时间为6小时;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述有机溶剂为醋酸酐;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述4-二甲基氨基吡啶与所述化合物D1摩尔比为1:1000;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述有机溶剂与所述化合物D1的摩尔比为5:1;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述聚合反应的时间为6~16小时;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述聚合反应的温度为130~190℃。
5.如权利要求2所述的应用,其特征在于,所述添加剂的制备方法中,S2中,所述碱以碱水溶液的形式参与到反应中,所述碱与水的质量比为0.1:1~0.6:1;
和/或,所述添加剂的制备方法中,S3中,所述聚合反应分两步进行,第一步在100~140℃反应6~8小时,第二步温度升至160~200℃反应10~12小时。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司,未经上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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