[发明专利]一种发光芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光芯片，其特征在于，所述发光芯片包括：

外延层；

以及设置于所述外延层上的电极结构；

所述电极结构中的至少一个包括：

设置于所述外延层上的反射层；

至少包覆所述反射层侧表面且与所述外延层接触的保护层，所述保护层与所述外延层之间的粘附性大于所述反射层与所述外延层之间的粘附性；

设置于所述反射层上且远离所述外延层的一侧的电子传输层；

设置于所述电子传输层上且远离所述外延层的一侧的电子阻挡层。

2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述保护层覆盖所述反射层远离所述外延层的一侧以及所述反射层的侧面，且所述保护层设置于所述反射层和所述电子传输层之间。

3.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述反射层包括：

铝合金层，所述铝合金层与所述外延层的粘附性大于铝与所述外延层的粘附性；

或，铝层。

4.如权利要求1-3任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述保护层包括镍层。

5.如权利要求1-3任一项所述的发光芯片，其特征在于，所述外延层包括：第一半导体层、设置于所述第一半导体层上的有源层以及设置于所述有源层上的第二半导体层；

所述电极结构设置于所述第二半导体层上；

所述发光芯片还包括：

设置于所述第二半导体层和所述电极结构之间的透明导电层，所述保护层与所述透明导电层接触，所述透明导电层包括氧化铟锡层。

6.如权利要求5所述的发光芯片，其特征在于，所述发光芯片还包括：

设置于所述第二半导体层和所述透明导电层之间的电流阻挡层。

7.如权利要求5所述的发光芯片，其特征在于，所述发光芯片还包括：

包覆所述外延层且使部分所述电极结构外露的钝化层。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的发光芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

制作所述外延层；

在所述外延层上形成所述电极结构；

所述在所述外延层上形成所述电极结构包括：

在所述外延层上形成与所述外延层接触的所述反射层；

在所述反射层上形成所述保护层；

在所述反射层远离所述外延层的一侧形成所述电子传输层；

以及在所述电子传输层远离所述外延层的一侧形成所述电子阻挡层。

9.如权利要求8所述的发光芯片的制备方法，其特征在于，所述制备所述外延层包括：形成第一半导体层，在所述第一半导体层上形成有源层，以及在所述有源层上形成第二半导体层；

所述在所述外延层上形成所述电极结构包括：

在所述第二半导体层上形成所述电极结构；

所述反射层包括铝层或铝合金层，所述方法还包括：

在所述第二半导体层上形成氧化铟锡层；

形成所述氧化铟锡层后，还包括控制环境温度为预设温度，所述反射层中的铝在所述预设温度下渗透到所述氧化铟锡层中。

10.如权利要求9所述的发光芯片的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：形成包覆所述外延层且使部分所述电极结构外露的钝化层；

所述控制环境温度为预设温度包括：控制所述钝化层的沉积温度为所述预设温度。