[发明专利]二极管型光电传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种二极管型光电传感器，其特征在于，包括：

基底；

钙钛矿薄膜层，设置于所述基底的部分上表面，所述钙钛矿薄膜层采用化学气相蒸镀法制备而成，且所述钙钛矿薄膜层的材料包括卤化铅和卤化铯，所述卤化铅和卤化铯的摩尔比为1:1；

有机物半导体层，部分设置于所述基底的部分上表面，所述有机物半导体层的剩余部分设置于所述钙钛矿薄膜层的部分上表面；以及

电极，包括正极和负极；

其中，所述卤化铅选自氯化铅、溴化铅和碘化铅中的任意一种，所述卤化铯选自氯化铯、溴化铯和碘化铯中的任意一种。

2.根据权利要求1所述的二极管型光电传感器，其特征在于，所述正极设置于所述钙钛矿薄膜层的上表面，所述负极设置于所述有机物半导体层的上表面。

3.根据权利要求1所述的二极管型光电传感器，其特征在于，所述钙钛矿薄膜层包括第一钙钛矿薄膜层和第二钙钛矿薄膜层，且所述第一钙钛矿薄膜层与所述第二钙钛矿薄膜层通过部分所述有机物半导体层分隔设置于所述基底的部分上表面，所述正极设置于所述第一钙钛矿薄膜层的上表面和所述第二钙钛矿薄膜层的上表面中的任意一种，所述负极设置于所述第一钙钛矿薄膜层的上表面和所述第二钙钛矿薄膜层的上表面中的另一种。

4.根据权利要求1所述的二极管型光电传感器，其特征在于，所述钙钛矿薄膜层的厚度和所述有机物半导体层的厚度均为50nm～1μm。

5.根据权利要求3所述的二极管型光电传感器，其特征在于，所述第一钙钛矿薄膜层的厚度与所述第二钙钛矿薄膜层的厚度相同，且所述第一钙钛矿薄膜层与所述第二钙钛矿薄膜层之间的间距为100μm～200μm。

6.根据权利要求3所述的二极管型光电传感器，其特征在于，所述第一钙钛矿薄膜层和所述第二钙钛矿薄膜层以所述基底的中轴线对称设置。

7.根据权利要求1所述的二极管型光电传感器，其特征在于，所述有机物半导体层的材料为C₈-BTBT和DNTT中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的二极管型光电传感器，其特征在于，所述基底为柔性基底，且所述柔性基底的材料为PI和PET中的任意一种。

9.根据权利要求1所述的二极管型光电传感器，其特征在于，所述正极和所述负极的材料为导电材料，所述导电材料包括金、镍、铂、钨和银中的任意一种。

10.一种二极管型光电传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供基底；

S2：采用化学气相蒸镀法在所述基底部分上表面形成钙钛矿薄膜层后，形成有机物半导体层、正极和负极，并使所述有机物半导体层的部分设置于所述基底的部分上表面，使所述有机物半导体层的剩余部分设置于所述钙钛矿薄膜层的部分上表面；

且使所述钙钛矿薄膜层的材料包括卤化铅和卤化铯，使所述卤化铅和卤化铯的摩尔比为1:1，使所述卤化铅选自氯化铅、溴化铅和碘化铅中的任意一种，所述卤化铯选自氯化铯、溴化铯和碘化铯中的任意一种。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中采用化学气相蒸镀法在所述基底部分上表面形成钙钛矿薄膜层后，形成有机物半导体层、正极和负极，并使所述有机物半导体层的部分设置于所述基底的部分上表面，使所述有机物半导体层的剩余部分设置于所述钙钛矿薄膜层的部分上表面的步骤包括：

S201：采用气相蒸镀法将所述卤化铅沉积到所述基底的部分上表面，然后将所述卤化铯沉积到所述卤化铅的上表面，最后进行热退火处理以在所述基底的部分上表面形成所述钙钛矿薄膜层；

S202：形成有机物半导体层，并使所述有机物半导体层的部分设置于所述基底的部分上表面，使所述有机物半导体层的剩余部分设置于所述钙钛矿薄膜层的部分上表面；

S203：在所述钙钛矿薄膜层的上表面形成所述正极，在所述有机物半导体层的上表面形成所述负极。