[发明专利]一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法在审
申请号: | 202111399276.8 | 申请日: | 2021-11-24 |
公开(公告)号: | CN114171637A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 童正夫;韩长存;刘志锋;方黎;柳阳;王文君;谭保华 | 申请(专利权)人: | 湖北工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0352;C23C14/06;C23C14/18 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 兰岚 |
地址: | 430068 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 修饰 czts 薄膜 太阳能电池 电极 制备 方法 | ||
1.一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法,包括以下步骤:
S1、将Mo基底置于真空条件下,射频溅射ZnS,形成第一溅射层;
S2、将具有第一溅射层的Mo基底置于真空条件下,直流溅射Cu,在第一溅射层表面形成第二溅射层;
S3、在第二溅射层的表面旋涂CZTS前驱体溶胶;
S4、将步骤S3处理后的样品在S蒸气的气氛环境下进行退火处理,得到具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述修饰层中,Cu与Zn的原子数目之比为1.1~1.9。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,射频溅射的功率为10~100W,射频溅射的气压为0.1~5Pa,射频溅射的时间为0.5~10s。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,直流溅射的功率为10~100W,直流溅射的气压为0.1~5Pa,直流溅射的时间为0.5~10s。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,CZTS前驱体溶胶的制备方法包括:将Cu盐、Zn盐和Sn盐溶解于溶剂I中,获得CZTS前驱体溶胶。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述溶剂I中,Cu盐的摩尔浓度为0.028~0.14mol/L,Zn盐的摩尔浓度为0.02~0.11mol/L,Sn盐的摩尔浓度为0.015~0.07mol/L。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述Cu盐、所述Zn盐和所述Sn盐的盐各自独立地选自氯化盐、硫酸盐、硝酸盐中的一种。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述溶剂I选自N,N-二甲基甲酰胺、乙二醇甲醚、1,4-丁内酯、乙二醇、甲醇、乙醇、二甘醇胺,乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、十八烯、乙二硫醇、1,3-丙硫醇和油胺中的一种或多种的组合。
9.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述CZTS前驱体溶胶的制备方法还包括:向溶剂I中加入添加剂,所述添加剂选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺中的一种,添加剂与溶剂I的体积比为1:25~50。
10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,退火处理的升温速率为5~30℃/min,退火处理的温度为400~600℃,退火处理的保温时间为10~60min,退火处理的降温速率为1~10℃/min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的