[发明专利]高结晶质量的金属卤素钙钛矿薄膜，其制备方法及由其制备的光电探测器

权利要求书

1.一种高结晶质量的金属卤素钙钛矿薄膜，其特征在于，制备所述金属卤素钙钛矿薄膜的钙钛矿前驱体溶液中加入了乙胺碘添加剂，所述钙钛矿前驱体为甲脒基钙钛矿前驱体，所述钙钛矿前驱体溶液由碘化铅、甲脒碘和有机溶剂组成。

2.根据权利要求1所述的高结晶质量的金属卤素钙钛矿薄膜，其特征在于，所述乙胺碘添加剂的添加量为10~30mol%。

3.根据权利要求1所述的高结晶质量的金属卤素钙钛矿薄膜，其特征在于，所述碘化铅和甲脒碘的浓度均为1~1.5 mmol/mL；所述有机溶剂为二甲基亚砜和二甲基甲酰胺的混合溶剂。

4.一种金属卤素钙钛矿光电探测器，其特征在于，包括导电基底以及依次设置于导电基底上的电子传输层、钙钛矿薄膜吸光层、空穴传输层和电极层，其中，所述钙钛矿薄膜吸光层为权利要求1-3任一项所述的金属卤素钙钛矿薄膜。

5.根据权利要求4所述的金属卤素钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述电子传输层的材质为n型金属氧化物薄膜半导体，厚度为10~50 nm。

6.根据权利要求4所述的金属卤素钙钛矿光电探测器，其特征在于，所述空穴传输层的材质为有机共轭聚合物，厚度为200~300 nm。

7.根据权利要求4所述的金属卤素钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在导电基底上旋涂制备电子传输层；

（2）配制钙钛矿前驱体溶液，旋涂在所述电子传输层上制备钙钛矿薄膜吸光层；

（3）在所述钙钛矿薄膜吸光层上旋涂制备空穴传输层；

（4）在所述空穴传输层上蒸镀电极，得到所述金属卤素钙钛矿光电探测器。

8.根据权利要求7所述的金属卤素钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，

步骤（1）中，所述旋涂的速度为4000~5000 r/s，旋涂的时间为20~25 s；旋涂结束后，在100~150℃下退火10~15 min；

步骤（3）中，所述旋涂的速度为2000~3000 r/s，旋涂的时间为30s；

步骤（4）中，所述电极蒸镀的厚度为90 nm，蒸镀速率为0.05~0.1 nm/s。

9.根据权利要求7所述的金属卤素钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述旋涂分为两个阶段，将搅拌均匀的钙钛矿前驱体溶液旋涂于所述电子传输层上，先以2000~2500 r/s的速度旋涂2s，随后以4500~5000 r/s的速度旋涂25s；在后一旋涂阶段还剩余12~15 s时，将80~100 μL的氯苯滴加到旋涂的薄膜上；旋涂结束后，在100~150℃下退火。