[发明专利]日盲AlGaN紫外光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种日盲AlGaN紫外光电探测器，其特征在于，包括紫外光电探测器外延片和设置在所述紫外光电探测器外延片上的绝缘层、欧姆接触电极和肖特基接触电极，以及设置在所述紫外光电探测器外延片两侧的SiN_z钝化层，z=1.33~1.5；其中：

所述紫外光电探测器外延片包括在硅衬底上依次生长非掺杂N极性面AlN缓冲层、碳掺杂N极性面AlN层、碳掺杂N极性面组分渐变Al_yGa_1-yN层和非掺杂N极性面Al_xGa_1-xN层，其中，x=0.5~0.8，y=0.75~0.95；

所述绝缘层设置在所述非掺杂N极性面Al_xGa_1-xN层上的一侧，所述欧姆接触电极设置在所述绝缘层上，所述肖特基接触电极设置在所述欧姆接触电极上，以及设置在所述绝缘层、欧姆接触电极的侧面和所述非掺杂N极性面Al_xGa_1-xN层上，所述欧姆接触电极还设置在所述非掺杂N极性面Al_xGa_1-xN层上表面的另一侧。

2.根据权利要求1所述的日盲AlGaN紫外光电探测器，其特征在于，所述肖特基接触电极采用二维MXene材料制备，所述绝缘层为Al₂O₃绝缘层。

3.根据权利要求1所述的日盲AlGaN紫外光电探测器，其特征在于，所述绝缘层的厚度为200~300nm，所述欧姆接触电极的厚度为100~150nm。

4.根据权利要求1所述的日盲AlGaN紫外光电探测器，其特征在于，所述绝缘层高于所述非掺杂N极性面Al_xGa_1-xN层的上表面。

5.根据权利要求1~4任一项所述的日盲AlGaN紫外光电探测器，其特征在于，所述硅衬底以(111)密排面为外延面；

所述非掺杂N极性面AlN缓冲层、碳掺杂N极性面AlN层、碳掺杂N极性面组分渐变Al_yGa_1-yN层和非掺杂N极性面Al_xGa_1-xN层均以(0001)为外延方向。