[发明专利]高基频晶片慢腐蚀工艺

权利要求书

1.高基频晶片慢腐蚀工艺，其特征在于：包括以下步骤：

1)对待处理的高基频晶片进行除油脂浸泡，将高基频晶片放入脱脂溶液中，防止高基频晶片表面残留油污和油脂，浸泡时间在1～2min，然后将经过除油脂的高基频晶片放入超声波清洗机中进行第一次水洗。

2)对经过第一次水洗的高基频晶片酸性溶液中酸洗，将高基频晶片放入恒温箱中，控制恒温箱的温度为35～45℃，除去高基频晶片表面的锈蚀产物和氧化膜，然后将经过酸洗的高基频晶片放入超声波清洗机中进行第二次水洗。

3)将经过第二次水洗的高基频晶片放入烘干箱中烘干，烘干温度为110～130℃，烘干时间为10～15min。

4)对烘干之后的高基频晶片进行研磨，为了利于研磨加工，晶片频率研磨到55～65M即可，后续采用腐蚀来继续减薄晶片厚度。

5)将高基频晶片放入慢腐蚀溶液中浸泡，溶液温度为50℃，使用氟化铵NH3F和氢氟酸HF按照1:1比例组成40％混合溶液，两种物质在水中可以电离为NH3F＝NH3++F-；HF＝H++F-；浸泡时间为4～6小时。

2.根据权利要求1所述的高基频晶片慢腐蚀工艺，其特征在于：所述酸性溶液为盐酸溶液，盐酸溶液浓度为10～15％，所述脱脂溶液由脱脂剂和蒸馏水勾兑而成，所述脱脂剂的含量为400～500mL/L。

3.根据权利要求1所述的高基频晶片慢腐蚀工艺，其特征在于：所述超声波清洗机为阿斯卡利F-009SD+15L+360W工业超声波清洗机，所述水洗液不超过超声波清洗机容量的70％，所述水洗液为超纯水，每次水洗时间为1min。

4.根据权利要求1所述的高基频晶片慢腐蚀工艺，其特征在于：所述烘干箱为标努赫尔曼101-4-AB电热恒温鼓风干燥箱。

5.根据权利要求1所述的高基频晶片慢腐蚀工艺，其特征在于：石英的成分是二氧化硅和氟化氢铵的化学方程式：2NH4HF2+SiO2＝SiF4+2NH3+2H2O。

6.根据权利要求1所述的高基频晶片慢腐蚀工艺，其特征在于：由于高基频晶片极易碎，不能使用超声波。为了保证表面能够与腐蚀液均匀接触，将晶片一片一片插在槽内，同时在溶液中做来回的上下浮动。