[发明专利]一种绕镀多晶硅的清洗工艺

权利要求书

1.一种绕镀多晶硅的清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(1)获取存在绕镀多晶硅的硅片；

(2)采用氢氟酸溶液对硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层进行链式清洗，所述链式清洗过程中控制水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得硅片正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，且硅片正面BSG层的保留厚度在40nm以上；

(3)在硅片正面BSG层和背面PSG层的保护作用，采用碱性溶液对硅片正面和边缘绕镀多晶硅进行清洗；

(4)去除硅片正面BSG层和背面PSG层，完成对硅片绕镀多晶硅的去除。

2.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述硅片正面BSG层的保留厚度为40nm～100nm。

3.根据权利要求2所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述氢氟酸溶液的体积比浓度为0.5％～5％；所述氢氟酸溶液的温度为10℃～25℃。

4.根据权利要求3所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(2)中，将硅片正面朝下漂浮在氢氟酸溶液上，采用链式清洗工艺对硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层进行链式清洗；所述链式清洗工艺的工艺参数为：泵浦为40％～70％，带速为1.2m/min～2.4m/min，反应时间为0.3min～3min；所述硅片经氢氟酸溶液清洗完成后，还包括对硅片进行水洗、吹干；所述硅片在去除正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层后，正面绕镀多晶硅的表面呈现疏水性。

5.根据权利要求4所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(3)中，将硅片浸没在碱性溶液中，采用槽式碱洗工艺对硅片正面及边缘绕镀多晶硅进行清洗；所述碱性溶液为氢氧化钾溶液和/或氢氧化钠溶液；所述碱性溶液的体积比浓度为3％～10％；所述碱性溶液的温度为55℃～65℃；所述清洗的时间为180s～600s；所述碱性溶液中还包括用于同时保护BSG层和PSG层的添加剂，所述添加剂的体积比浓度为0.5％～3％；所述添加剂为碱洗添加剂或碱抛光添加剂。

6.根据权利要求5所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(3)中，所述硅片经碱性溶液清洗完成后，还包括以下处理：

(a)采用温度为20℃～25℃的水对硅片进行水洗120s～360s；

(b)将硅片置于臭氧水或H₂O₂/碱的混合溶液中，对硅片表面有机物进行清洗；

(c)用温度为20℃～25℃的水对硅片进行水洗120s～360s。

7.根据权利要求6所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(b)中，所述H₂O₂/碱的混合溶液中碱液的体积比浓度为10％～20％，H₂O₂的体积比浓度为3％～20％；所述H₂O₂/碱的混合溶液中的碱液为KOH溶液、NaOH溶液和NH₄OH溶液中的至少一种；所述H₂O₂/碱的混合溶液的温度为40℃～70℃；所述清洗的时间为120s～360s。

8.根据权利要求7所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(4)中，采用氢氟酸/盐酸的混合溶液去除硅片正面BSG层和背面PSG层，包括以下步骤：将硅片置于氢氟酸/盐酸的混合溶液中，对硅片正面BSG层和背面PSG层进行清洗；所述氢氟酸/盐酸的混合溶液中HF溶液的体积比浓度为10％～50％，HCl溶液的体积比浓度为0％～10％；所述氢氟酸/盐酸的混合溶液的温度为20℃～25℃；所述清洗的时间为180s～600s。

9.根据权利要求8所述的清洗工艺，其特征在于，所述硅片经氢氟酸/盐酸的混合溶液清洗完成后，还包括以下处理：采用温度为60℃～90℃的去离子水对硅片进行慢提拉10s～120s，在5s～60s内将硅片提出；在氮气气氛下，于温度为75℃～90℃的条件下对硅片进行干燥300s～900s。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述获取存在绕镀多晶硅的硅片，包括以下步骤：

(1.1)对硅片进行制绒；

(1.2)对制绒后硅片正面进行硼扩散，在硅片正面形成p+发射极和BSG层，所述BSG层的厚度为70nm～130nm；

(1.3)对硼扩散后硅片进行刻蚀和清洗，去除边缘和背面的BSG层和硼发射极；

(1.4)以单槽双插的方式，对硅片进行LPCVD和磷扩散处理，在硅片抛光清洗面依次生长隧穿氧化层、多晶硅层和PSG层，所述PSG层的厚度为10nm～60nm，得到正面和边缘绕镀有多晶硅、PSG层、BPSG层的硅片。