[发明专利]一种量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，包括以下步骤：

(1)三氧化二铁纳米管的制备：称取无水三氯化铁、磷酸二氢铵分散于去离子水中，超声搅拌处理后，分别量取定量溶液并与去离子水剧烈搅拌混合，将混合物转移到反应釜中，放至烘箱里，恒温一定时长，自然降温，将得到的产物进行离心洗涤，之后将产物分散到去离子水中，得到的分散液进行冷冻处理，最后转入冻干机中进行冷冻干燥，得到三氧化二铁纳米管；

(2)镍钴氢氧化物/三氧化二铁纳米管复合材料的制备：称取一定量的硝酸镍、硝酸钴尿素、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)以及制备得到的三氧化二铁纳米管分散于去离子水及乙醇混合液中，进行超声搅拌处理，将该混合溶液转移至圆底烧瓶里，之后置于油浴锅中，加热至一定温度反应一段时间，将得到的产物进行离心洗涤，之后分散到去离子水中，得到的分散液进行冷冻处理，最后转入冻干机中进行冷冻干燥，最终得到镍钴氢氧化物/三氧化二铁纳米管；

(3)二硫化钼量子点的制备：称取定量钼酸钠分散于去离子水中并调节pH值至中性，其后加入一定量的谷胱甘肽，超声处理一段时间，将该混合液转移至反应釜中，得到的产物离心处理去除大颗粒产物，得到二硫化钼量子点；

(4)二硫化钼量子点修饰层状镍钴氢氧化物/三氧化二铁纳米管复合材料的制备：将步骤(2)得到的镍钴氢氧化物/三氧化二铁纳米管与步骤(3)得到的二硫化钼量子点按一定比例混合，剧烈搅拌，得到二硫化钼量子点修饰层状钴镍氢氧化物/三氧化二铁纳米管复合材料。

2.根据权利要求1所述的量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，其特征在于：在所述的步骤(1)中，所述的三氯化铁的用量为1000～1700mg，磷酸二氢铵用量为10～100mg，分散三氯化铁、磷酸二氢铵所用的去离子水的体积为20-200mL。

3.根据权利要求1所述的量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，其特征在于：所述的三氯化铁的浓度为0.3～0.5mol/L，用量为0.5～4mL，磷酸二氢铵水溶液的浓度为0.01～0.02mol/L，用量为1～3mL。

4.根据权利要求1所述的量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，其特征在于：在所述的步骤(1)中，烘箱的温度选为200～220℃。

5.根据权利要求1所述的量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，其特征在于：在所述的步骤(1)中，反应时间为30～48h。

6.根据权利要求1所述的量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，其特征在于：在所述的步骤(2)中，所述的三氧化二铁的用量为30～100mg，硝酸镍的用量为50～500mg，硝酸钴的用量为50～500mg，尿素的用量为0.5～1g，聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的用量为0.5～1g。

7.根据权利要求1所述的量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，其特征在于：在所述的步骤(2)中，油浴锅的温度选为75-90℃，反应时间为7～10h。

8.根据权利要求1所述的量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，其特征在于：在所述的步骤(3)中，所述的钼酸钠的用量为100～200mg，谷胱甘肽的用量100～300mg，去离子水的用量为10-100mL。

9.根据权利要求1所述的量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，其特征在于：在所述的步骤(3)中，稀盐酸盐酸浓度为0.1M～0.3M，用量为1mL～3mL。

10.根据权利要求1所述的量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，其特征在于：在所述的步骤(3)中，烘箱的温度选为200～220℃，反应时间为10～30h。

11.根据权利要求1所述的量子点修饰的纳米片复合材料的制备方法，其特征在于：在所述的步骤(4)中，镍钴氢氧化物/三氧化二铁纳米管用量为10～50mg，搅拌时间为10～30h。