[发明专利]一种量子点的制备方法

权利要求书

1.一种量子点的制备方法，其特征在于，所述量子点的制备方法包括：使Ⅲ-Ⅴ族量子点溶液在温度150～300℃下反应0.1～3h，并在反应过程中持续向所述Ⅲ-Ⅴ族量子点溶液中添加含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液、含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液和酸；

所述含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液的浓度为0.01～100mmol/mL，所述含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液的浓度为0.01～100mmol/mL，所述酸的浓度为0.01～100mmol/mL；

所述含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液的添加速率为0.001～100mL/min，所述含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液的添加速率为0.001～100mL/min，所述酸的添加速率为0.001～100mL/min。

2.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液的浓度为0.1～50mmol/mL，所述含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液的浓度为0.1～50mmol/mL，所述酸的浓度为0.1～50mmol/mL；

所述含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液的添加速率为0.1～50mL/min，所述含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液的添加速率为0.1～50mL/min，所述酸的添加速率为0.1～50mL/min。

3.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述酸为油酸。

4.根据权利要求3所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述酸为酸溶液或液态酸，所述酸溶液的溶剂不是水或醇类。

5.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述含Ⅲ族的阳离子包括Al³⁺、Ga³⁺和In³⁺中的任意一种或多种；

所述含Ⅴ族的阴离子的前驱体包括Na₃P、PCl₃、H₃P和Na₃As中的任意一种或多种。

6.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液的溶剂包括1-十八烯、氯苯、氯仿和二氯甲烷中的任意一种或多种；

所述含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液的溶剂包括1-十八烯、氯苯、氯仿和二氯甲烷中的任意一种或多种。

7.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族量子点溶液的反应氛围为惰性气体氛围。

8.根据权利要求1～7任一项所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族量子点溶液通过以下方式制得：

将混合液在80～330℃下反应0.1～3h；

所述混合液包括按照1:1～6的配比混合的含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液和含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液；

所述含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液的浓度为0.01～100mmol/mL，所述含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液的浓度为0.01～100mmol/mL。

9.根据权利要求8所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液和所述含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液在混合前进行除氧和除水操作。

10.根据权利要求8所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述含Ⅲ族的阳离子的前驱体溶液和所述含Ⅴ族的阴离子的前驱体溶液的反应氛围为惰性气体氛围。