[发明专利]金属互连线的峰值电流计算评估方法在审
| 申请号： | 202111409075.1 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114121706A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 毕寒;尹彬锋;周柯;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 峰值 电流 计算 评估 方法 | ||
1.一种金属互连线的峰值电流计算评估方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供多组衬底；
步骤二、在多组所述衬底上形成具有不同设计尺寸的金属互连线测试结构；
步骤三、选取多组所述衬底上的die，对步骤二得到的多组所述金属互连线结构施加逐渐增大的脉冲电压，得到多组所述金属互连线结构可承受最大峰值电流密度的数据；
步骤四、根据步骤三得到的所述数据拟合峰值电流密度与设计宽度的关系，得到预测区间；
步骤五、根据所述预测区间的下限得到拟合曲线，所述拟合曲线作为工艺验证测试标准的参考依据。
2.根据权利要求1所述的金属互连线的峰值电流计算评估方法，其特征在于：步骤一的所述多组衬底的数目为三组。
3.根据权利要求1所述的金属互连线的峰值电流计算评估方法，其特征在于：步骤二中的所述不同设计尺寸为不同的设计宽度。
4.根据权利要求3所述的金属互连线的峰值电流计算评估方法，其特征在于：所述不同的设计宽度包括1倍基准宽度，2倍基准宽度，4倍基准宽度，8倍基准宽度，12倍基准宽度，16倍基准宽度，20倍基准宽度，40倍基准宽度，60倍基准宽度和80倍基准宽度，其中所述基准宽度定义为金属互连线所设定的宽度值。
5.根据权利要求1所述的金属互连线的峰值电流计算评估方法，其特征在于：步骤三中的脉冲电压由传输线脉冲仪提供。
6.根据权利要求1所述的金属互连线的峰值电流计算评估方法，其特征在于：步骤四中的所述预测区间为95％的预测区间。
7.根据权利要求1所述的金属互连线的峰值电流计算评估方法，其特征在于：步骤五中得到的所述拟合曲线形式为Jpeak＝a/(Width-n)+b，其中，Jpeak为峰值电流密度，a、b和n均为常数，Width为所述设计尺寸。
8.根据权利要求1所述的金属互连线的峰值电流计算评估方法，其特征在于：该方法适用于集成电路后段互连线的峰值电流计算评估方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
