[发明专利]显示面板、显示面板的制作方法及显示装置在审
申请号: | 202111409762.3 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN114093922A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 罗程远;徐攀;张星;韩影;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板(100),其特征在于,包括:
衬底基板(1),具有显示区(101)和环绕所述显示区(101)的非显示区(102);
驱动层(2),位于所述衬底基板(1)的一侧,且位于所述显示区(101);
挡墙(3),与所述驱动层(2)位于所述衬底基板(1)的同一侧,且位于所述非显示区(102),所述挡墙(3)的内周面和外周面中的至少一个具有凹槽(31);
疏液层(4),覆盖所述挡墙(3)背离所述衬底基板(1)的表面,且延伸至所述凹槽(31)内;
发光层(5),位于所述驱动层(2)背离所述衬底基板(1)的一侧,且包括依次背离所述驱动层(2)的第一电极层(51)、像素界定层(52)、发光功能层(53)和第二电极层(54),所述发光功能层(53)位于所述挡墙(3)围绕的范围内。
2.如权利要求1所述的显示面板(100),其特征在于,所述挡墙(3)环绕所述驱动层(2),且包括依次背离所述衬底基板(1)的第一绝缘层(32)、第一支撑层(33)和第一遮挡层(34);
所述第一遮挡层(34)沿径向伸出所述第一支撑层(33),所述疏液层(4)包裹所述第一遮挡层(34)和所述第一支撑层(33),且覆盖所述第一绝缘层(32)背离所述衬底基板(1)的表面。
3.如权利要求2所述的显示面板(100),其特征在于,所述第一支撑层(33)的内周面和外周面均为在径向上向靠近所述第一支撑层(33)中部收缩的曲面。
4.如权利要求2所述的显示面板(100),其特征在于,所述驱动层(2)包括依次背离所述衬底基板(1)的遮光层(20)、缓冲层(21)、有源层(22)、栅极绝缘层(23)、栅极层(24)、第一钝化层(25)、源漏层(26)和第二钝化层(27);
所述第一绝缘层(32)与所述缓冲层(21)同层设置,所述第一支撑层(33)与所述源漏层(26)同层设置,所述第一遮挡层(34)与所述第二钝化层(27)同层设置。
5.如权利要求2所述的显示面板(100),其特征在于,所述挡墙(3)还包括:位于所述第一绝缘层(32)和所述第一支撑层(33)之间,且依次背离所述第一绝缘层(32)的第二遮挡层(35)、第二支撑层(36)、和第三遮挡层(37);
所述第三遮挡层(37)沿径向伸出所述第二支撑层(36),且所述第一遮挡层(34)的径向宽度小于所述第三遮挡层(37)的径向宽度,所述疏液层(4)覆盖所述第三遮挡层(37)背离所述衬底基板(1)的表面。
6.如权利要求5所述的显示面板(100),其特征在于,所述第一遮挡层(34)沿径向伸出所述第一支撑层(33)的长度小于所述第三遮挡层(37)沿径向伸出所述第二支撑层(36)的长度。
7.如权利要求5所述的显示面板(100),其特征在于,所述第一遮挡层(34)的刻蚀速率小于所述第一支撑层(33)的刻蚀速率,所述第三遮挡层(37)的刻蚀速率小于所述第二支撑层(36)的刻蚀速率。
8.如权利要求5所述的显示面板(100),其特征在于,所述第一支撑层(33)的厚度大于或等于所述第二支撑层(36)的厚度。
9.如权利要求1-8任一所述的显示面板(100),其特征在于,所述疏液层(4)背离所述挡墙(3)的表面为凸起的曲面。
10.如权利要求1-8任一所述的显示面板(100),其特征在于,所述疏液层(4)与所述像素界定层(52)同层设置。
11.如权利要求1-8任一所述的显示面板(100),其特征在于,所述显示面板(100)包括多圈所述挡墙(3)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的