[发明专利]一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒有效
| 申请号： | 202111411291.X | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114086241B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 宋振亮;宋少杰 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06;C30B30/04;C30B15/20 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 姚勇政;李斌栋 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 拉制 方法 | ||
1.一种单晶硅棒的拉制方法，其特征在于，所述拉制方法包括：
在单晶硅棒的等径生长初始阶段，设置水平磁场的起始高度高于硅熔液的自由表面；
在所述单晶硅棒的等径生长过程中，通过改变所述水平磁场对所述硅熔液对流的控制强度以使得所述单晶硅棒沿轴向自头部至尾部方向上的氧浓度呈下降趋势以抑制由氮浓度偏析引起的BMD密度增加；其中，所述在所述单晶硅棒的等径生长过程中，通过改变所述水平磁场对所述硅熔液对流的控制强度以使得所述单晶硅棒沿轴向自头部至尾部方向上的氧浓度呈下降趋势，包括：
在所述单晶硅棒的等径生长过程中，所述水平磁场的磁场强度保持不变，通过逐渐下降所述水平磁场的高度以增大所述水平磁场对所述硅熔液对流的控制强度，从而使得所述单晶硅棒沿轴向自头部至尾部方向上的氧浓度呈下降趋势；其中，所述水平磁场的下降速率为0.02mm/h～0.12mm/h；
或者，在所述单晶硅棒的等径生长过程中，所述水平磁场的高度保持不变，通过逐渐增加所述水平磁场的磁场强度以增大所述水平磁场对所述硅熔液对流的控制强度，从而使得所述单晶硅棒沿轴向自头部至尾部方向上的氧浓度呈下降趋势；其中，所述水平磁场的磁场强度增加频率为0.2G/h～0.6G/h。
2.根据权利要求1所述的拉制方法，其特征在于，所述拉制方法还包括：
在所述单晶硅棒的等径生长结束阶段，所述水平磁场的高度不低于所述硅熔液的自由表面。
3.根据权利要求1所述的拉制方法，其特征在于，所述拉制方法还包括：
在所述单晶硅棒的等径生长结束阶段，所述水平磁场的磁场强度不大于4000G。
4.根据权利要求1至3任一项所述的拉制方法，其特征在于，对于直径为300mm的所述单晶硅棒，在所述单晶硅棒的等径生长初始阶段，设置所述水平磁场的起始高度为+100mm至+200mm，所述水平磁场的磁场强度为3000G至4000G。
5.一种单晶硅棒，其特征在于，所述单晶硅棒根据由权利要求1至4任一项所述的拉制方法制备得到。
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