[发明专利]纳米高熵氧化物陶瓷粉体及其制备方法在审
| 申请号： | 202111413009.1 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN113929449A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 徐帅;李炳生;戴亚堂;廖庆 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;C04B35/48;C04B35/495;C04B35/626;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 王悦 |
| 地址： | 621010 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 氧化物 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.纳米高熵氧化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)原料准备，原料微米级粉体TiC、ZrC、HfC、NbC、TaC；
(2)将上述各种原料粉体按等摩尔分子量进行配比，球磨，得到碳化物陶瓷混合粉体；
(3)将上述所制得的球磨粉体进行热压烧结，得到单相高熵碳化物陶瓷；
(4)将单相高熵碳化物陶瓷采用机械方式进行破碎；
(5)将破碎的单相高熵碳化物陶瓷粉体氧化，获得纳米高熵氧化物陶瓷粉体。
2.根据权利要求1所述的纳米高熵氧化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(1)中原料采用纯度＞99.5％、粒度为400-800目粉体。
3.根据权利要求1所述的纳米高熵氧化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的球磨参数：球料比，即球磨介质与物料的质量比为8-10:1，球磨介质为硬质陶瓷球，转速设定为200-300r/min，按照球磨2-4小时冷却一小时的方式进行多次球磨，球磨时间为20-30h。
4.根据权利要求3所述的纳米高熵氧化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(2)所得的碳化物陶瓷混合粉体尺寸小于20μm。
5.根据权利要求1所述的纳米高熵氧化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述的热压烧结，将所制得的碳化物陶瓷混合粉体在1800～2200℃条件下进行热压烧结，升温速率控制在10℃/min以下，1500℃开始加压到50-100MPa，得到的晶粒尺寸小于50μm的单相高熵碳化物陶瓷。
6.根据权利要求1所述的纳米高熵氧化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述的破碎，破碎至颗粒尺寸小于500μm。
7.根据权利要求1所述的纳米高熵氧化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述氧化，为在900-1200℃马弗炉中氧化3-5h。
8.纳米高熵氧化物陶瓷粉体，其特征在于：根据权利要求1到7任一项所述的制备方法所得。
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