[发明专利]一种晶背金属刻蚀的方法

说明书

本发明属于半导体制作技术领域，具体涉及一种晶背金属刻蚀的方法；本发明以固定重工酸液配方比及背面金属去除之蚀刻标准作业流程的方式，不仅可有效完成背面金属去除之成果，亦可有效提升产品质量与成本管控。

技术领域

本发明属于半导体制作技术领域，具体的讲涉及一种晶背金属刻蚀的方法。

背景技术

随着半导体制作工艺的飞速发展，在半导体的制造过程中，晶圆背面刻蚀结构的制作方法对制作而成的晶圆缺陷密度的降低以及产品质量的提高具有很重要的影响。

目前的晶背金属刻蚀技术中，有概率的会在刻蚀制成及干燥作业后查检到镀材蚀刻不完全。蚀刻不完全则须将芯片转往抛光槽进行抛光再次作业，造成晶圆再次加工，晶圆良率及成本上都会有所影响。

发明内容

为解决现有技术存在的问题，本发明提供一种晶背金属刻蚀的方法，可以有概率降低晶圆在晶背刻蚀完后的再次加工，亦降低可能所需耗费的良率及成本损失。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种晶背金属刻蚀的方法，包括如下步骤：

A、确认待作业的芯片已完成贴胶及稳定性烘烤作业；

B、使用重工酸液蚀刻芯片的背面镀材作业；

C、8英寸芯片使用25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片；

D、6英寸芯片使用25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片；

E、4英寸和5英寸芯片使用25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片，平边朝上；

F、4-8英寸芯片作业时贴胶面均朝向U-bar，芯片背面朝向操作者方向，将晶舟提把握紧后，再将晶舟整体采直上直下式逐渐置入具有重工酸液的重工酸槽；

G、芯片泡重工酸液蚀刻持续至无反应气泡产生；

H、芯片镀材经蚀刻完成后，立即将晶舟提把握紧后直上提起并保持晶舟方向不变，确认后随即轻缓地直下置入QDR清洗槽内开始进行自动清洗流程；

I、干燥完毕后需检查镀材是否蚀刻完全；若未蚀刻完全则将芯片转往抛光槽进行抛光作业一次；

J、干燥完毕后需再度检查镀材蚀刻情况，若仍未去除干净则留待研磨去除；

K、将芯片胶带撕除并检查芯片表面，若发现有渗酸或渗水液则需至Dryer槽再进行干燥作业以去除残留的酸液。

进一步地，C步骤中，8英寸芯片(晶圆芯片)V-notch分别朝左/右方向排列。

进一步地，D步骤中，6英寸芯片平边朝上。

进一步地，G步骤中，芯片泡重工酸液蚀刻时间为25分钟。

进一步地，重蚀刻过程中保持晶舟慢速上下晃动。

本方案的有益效果如下：

本发明提供一种晶背金属刻蚀的方法，本发明与现有技术相比优点在于，原晶背金属刻蚀方法较易发生查检到镀材蚀刻不完全，而本发明则以固定重工酸液配方比及背面金属去除之蚀刻标准作业流程的方式，不仅可有效完成背面金属去除之成果，亦可有效提升产品质量与成本管控。

附图说明

图1为本发明一种晶背金属刻蚀的方法实施例1的晶背金属刻蚀标准作业流程图；

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。