[发明专利]双极晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种双极晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，设置在所述衬底上；

基区，设置在所述外延层中且位于所述外延层的顶部；

发射区，设置在所述基区中且位于所述基区的顶部；

深集电极接触区，设置在所述外延层中，从所述外延层的顶部垂直伸入所述外延层的底部；

环形掺杂区，设置在所述外延层中，位于所述外延层的顶部并环绕所述基区；

基极接触，设置在所述外延层上，与所述基区电连接；

发射极接触，设置在所述外延层上，与所述发射区电连接；

环形集电极接触，设置在所述外延层上，分别与所述深集电极接触区及所述环形掺杂区电连接；

其中，所述外延层的剩余部分构成所述双极晶体管的集电区。

2.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述环形掺杂区与所述深集电极接触区在空间位置上存在交叠。

3.根据权利要求2所述的双极晶体管，其特征在于，在所述外延层上，所述基极接触、所述发射极接触及所述环形集电极接触三者相互独立，且所述环形集电极接触包围所述基极接触与所述发射极接触。

4.根据权利要求3所述的双极晶体管，其特征在于，所述环形掺杂区的掺杂类型与所述发射区的掺杂类型相同。

5.根据权利要求4所述的双极晶体管，其特征在于，所述环形掺杂区的形状至少包括矩形、圆环形。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的双极晶体管，其特征在于，所述双极晶体管还包括埋层，所述埋层设置在所述衬底与所述外延层之间，所述埋层的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同。

7.一种双极晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上依次层叠形成埋层和外延层，并在所述外延层中形成深集电极接触区；

形成基区，所述基区设置在所述外延层中且位于所述外延层的顶部；

形成发射区和环形掺杂区，所述发射区设置在所述基区中且位于所述基区的顶部，所述环形掺杂区设置在所述外延层中且位于所述外延层的顶部，所述环形掺杂区环绕所述基区；

在所述外延层上形成基极接触、发射极接触及环形集电极接触，所述基极接触与所述基区电连接，所述发射极接触与所述发射区电连接，所述环形集电极接触分别与所述深集电极接触区及所述环形掺杂区电连接；

其中，所述外延层的剩余部分构成所述双极晶体管的集电区。

8.根据权利要求7所述的双极晶体管的制备方法，其特征在于，同步形成所述发射区和所述环形掺杂区，所述环形掺杂区的掺杂工艺条件与所述发射区的掺杂工艺条件相同，且所述环形掺杂区与所述深集电极接触区在空间位置上存在交叠。

9.根据权利要求8所述的双极晶体管的制备方法，其特征在于，通过先离子注入后退火的工艺步骤，形成所述基区、所述发射区和所述环形掺杂区。

10.根据权利要求9所述的双极晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述外延层上形成基极接触、发射极接触及环形集电极接触的步骤，包括：

在所述外延层上形成金属层，所述金属层与所述基区、所述发射区及所述环形掺杂区电连接；

刻蚀所述金属层，形成所述基极接触、所述发射极接触及所述环形集电极接触，所述基极接触、所述发射极接触及所述环形集电极接触三者相互独立，且所述环形集电极接触包围所述基极接触与所述发射极接触。