[发明专利]用于水蒸发产电的二维金属氧化物单层纳米片

权利要求书

1.一种富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片在水蒸发产电中的应用。

2.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述的应用是指将富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片涂覆在设置电极的支撑基底上作为产电器件，用于在水中蒸发产电。

3.如权利要求1或2所述的应用，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，将富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片与Nafion置于乙醇/水混合溶液中进行搅拌及超声反应，得到浆料；

步骤2，将导电电极材料印刷在支撑基底上，室温干燥，制得电极；

步骤3，将步骤1的浆料涂布于步骤2印刷了导电电极材料的支撑基底上，并在室温条件下干燥，得到一层膜；

步骤4，将导线粘接在电极的两端，然后用环氧树脂包裹所有暴露的电极。

4.如权利要求1或2所述的应用，其特征在于，富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片为Ti_0.87O₂、Ti_0.91O_2、MnO₂、Ca₂Nb₃O₁₀中任意一种，优选Ti_0.87O₂。

5.如权利要求3所述的应用，其特征在于，富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片与水的质量比为0.1:1~0.2:1，水与乙醇的体积比为1:0.01~1:0.05，水与Nafion的体积比为1:0.01~1:0.05。

6. 如权利要求3所述的应用，其特征在于，步骤1中，搅拌时间0.5-4 h，搅拌温度为10~60 ℃，超声时间为0.5~4 h，超声温度为10~60 ℃。

7.如权利要求3所述的应用，其特征在于，步骤2中，支撑基底为PET、石英玻璃、氧化铝玻璃、铝塑膜中任意一种。

8.如权利要求3所述的应用，其特征在于，步骤2中，导电电极材料为商业银浆或碳纳米管。

9.如权利要求3所述的应用，其特征在于，步骤4中，导线为导电银线，导电铜线。

10.如权利要求1或2所述的应用，其特征在于，富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片采用插层剥离法制备。