[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板与显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

有源层，包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；

栅绝缘层，位于所述有源层的一侧；

栅极，位于所述栅绝缘层背离所述有源层的一侧，所述栅极包括靠近所述漏极区的第一区域、靠近所述源极区的第二区域和位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；

其中，所述栅极在相同电平信号下，所述第三区域作用于所述沟道区上的电场强度，大于所述第一区域作用于所述沟道区上的电场强度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极在相同电平信号下，所述第三区域作用于所述沟道区上的电场强度，大于所述第二区域作用于所述沟道区上的电场强度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层位于所述栅极的所述第一区域与所述有源层之间的厚度，大于位于所述栅极的所述第三区域与所述有源层之间的厚度。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层位于所述栅极的所述第二区域与所述有源层之间的厚度，大于位于所述栅极的所述第三区域与所述有源层之间的厚度。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

缓冲层，位于所述有源层背离所述栅绝缘层的一侧；所述缓冲层与所述第三区域对应的厚度，大于与所述第一区域对应的厚度，以使所述栅绝缘层位于所述栅极的所述第一区域与所述有源层之间的厚度大于位于所述栅极的所述第三区域与所述有源层之间的厚度。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层与所述第三区域对应的厚度，大于与所述第二区域对应的厚度，以使所述栅绝缘层位于所述栅极的所述第二区域与所述有源层之间的厚度大于位于所述栅极的所述第三区域与所述有源层之间的厚度。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极在所述第一区域上形成有第一镂空部。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极在所述第一区域上形成有第二镂空部。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极在所述第三区域上形成有第三镂空部。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一镂空部与所述第二镂空部及所述第三镂空部呈条状镂空结构，且所述条状镂空结构的长度延伸方向与所述沟道区的长度方向相交。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一镂空部与所述第二镂空部及所述第三镂空部连通，所述栅极形成插指结构。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述栅极朝向所述漏极区的方向上，所述第一区域的宽度为0.001μm～50μm。

13.根据权利要求3或5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层位于所述栅极的所述第一区域与所述有源层之间的厚度，大于位于所述栅极的所述第三区域与所述有源层之间的厚度1μm～50μm。

14.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的包括：

第一子绝缘层，位于所述有源层与所述栅极之间；

第二子绝缘层，位于所述第一子绝缘层与所述栅极之间，且所述第二子绝缘层与所述第一子绝缘层的选择刻蚀比大于10:1。

15.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的材料包括氧化硅、高K材料中的至少一种。

16.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-15任一项所述的薄膜晶体管。

17.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求16所述的阵列基板。