[发明专利]一种Embedded Flash误写保护方法有效
| 申请号： | 202111415769.6 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113836600B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王立华;潘明方;熊海峰 | 申请（专利权）人： | 上海泰矽微电子有限公司;南京泰矽微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/79 | 分类号： | G06F21/79 |
| 代理公司： | 上海双诚知识产权代理事务所(普通合伙) 31423 | 代理人： | 方玉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 embedded flash 写保护 方法 | ||
1.一种Embedded Flash 误写保护方法，其特征在于，不需要划定或重新更改写保护区域实现对Flash全区域的误写保护，且保护的颗粒度由一个word到1个byte；
所述方法包括：
Embedded Flash 控制器收到写操作指令后，缓存所述写操作的地址和数据，并读取所述地址的数据；
判断读取的数据是否为32’hFFFF_FFFF，如果是，则全区域能够执行写操作；
如果不是32’hFFFF_FFFF，则区域内已经被烧写，进一步判断word中的每一个byte的值是否有8’hFF，且所述Embedded Flash控制器发送中断指令并产生AHB总线错误响应，同时记录word的误写信息，误写信息包括：写地址，写数据以及读数据；
如果word中的bytes值有8’hFF，则执行所述word中的bytes值为8’hFF的写操作，并记录非8’hFF值的bytes的误写信息，误写信息包括：写地址，写数据以及读数据；
如果值没有8’hFF，则整个word不执行写操作。
2.根据权利要求1所述的一种Embedded Flash误写保护方法，其特征在于：读取的数据是否为32’hFFFF_FFFF，判断全区域能否执行写操作时，所述保护方法保护的颗粒度单位为1个word。
3.根据权利要求1所述的一种Embedded Flash误写保护方法，其特征在于：读取的数据是否有8’hFF，判断整个word能否执行写操作时，所述保护方法保护的颗粒度单位为1个byte。
4.根据权利要求1所述的一种Embedded Flash误写保护方法，其特征在于：所述误写信息能够被用于debug调试。
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