[发明专利]能量转换组件

权利要求书

1.一种能量转换组件，其特征在于，包括：

聚光透镜；以及

太阳能电池片；

所述聚光透镜被配置为收集入射其表面的光辐射，使得所述光辐射聚集在所述太阳能电池片之上；

所述太阳能电池片的面积与所述聚光透镜的光收集指数相关，所述聚集的光辐射在所述太阳能电池片上的聚集位置随时间变化而变化，包括：

顶电池，所述顶电池的光吸收层的禁带宽度为1.4eV至1.95eV；

晶硅电池，所述晶硅电池设置于顶电池和底电池之间；

底电池，所述底电池的光吸收层的禁带宽度为0.3eV至0.8eV。

2.根据权利要求1所述的能量转换组件，其特征在于，所述太阳能电池片具有一长条形形状，所述太阳能电池片的边长至少基于所述聚光透镜的聚光倍数以及焦距确定。

3.根据权利要求1或2所述的能量转换组件，其特征在于，在第一时间段内，所述聚集的光辐射在所述太阳能电池片上的聚集位置随时间变化沿所述太阳能电池片的长边的安装方向移动。

4.根据权利要求3所述的能量转换组件，其特征在于，所述长边的安装方向为南北纵向或东西横向。

5.根据权利要求3所述的能量转换组件，其特征在于，所述第一时间段包括一天或一年。

6.根据权利要求1所述的能量转换组件，其特征在于，能量转换组件还包括能量回收单元，所述能量回收单元被配置为吸收所述太阳能电池片工作时产生的热能。

7.根据权利要求1所述的能量转换组件，其特征在于，所述顶电池的光吸收层的禁带宽度为1.65eV至1.85eV；所述底电池的光吸收层的禁带宽度为0.4eV至0.6eV。

8.根据权利要求1所述的能量转换组件，其特征在于，所述顶电池的光吸收层基于以下至少一种材料制成：钙钛矿、第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物、第I-III-VI族半导体化合物、第II-III-VI族半导体化合物、第I-II-IV-VI族半导体化合物、第IV族元素和包含第IV族元素的化合物。

9.根据权利要求1所述的能量转换组件，其特征在于，所述顶电池的光吸收层基于钙钛矿或第I-III-VI族半导体化合物制成。

10.根据权利要求9所述的能量转换组件，其特征在于，所述第I-III-VI族半导体化合物选自CuGaSe、CuGaS、CuInAlSe、CuInAlS、CuInGaSe、CuInGaS、CuAlGaSe和CuAlGaS中的一种或一种以上。

11.根据权利要求1至10中的任一权利要求所述的能量转换组件，其特征在于，所述底电池的光吸收层基于以下至少一种材料制成：有机光电材料、量子点和拓扑材料。