[发明专利]一种单多晶EEPROM开关单元结构

说明书

本发明公开一种单多晶EEPROM开关单元结构，属于微电子器件领域，包括p型Si衬底、浅槽隔离STI、栅氧化层、多晶层和衬垫。p型Si衬底上形成有高压p阱和n阱；若干个浅槽隔离STI将p型Si衬底的表面分成三部分区域：开关管区域、编程管区域和控制栅区域；编程管区域的表面通过n型离子掺杂形成有隧穿注入层；栅氧化层位于p型Si衬底的表面；多晶层淀积于栅氧化层的表面，多晶层覆盖开关管区域、编程管区域、控制栅区域以及浅槽隔离STI；衬垫位于多晶层的两侧，通过衬垫进行栅自对准工艺在p型Si衬底上形成有N+离子注入层和P+离子注入层。本发明可实现重复且精确的修调功能；具有修调灵活、修调成品率高、工艺成本低且易实现工艺移植等突出优点。

技术领域

本发明涉及微电子器件技术领域，特别涉及一种单多晶EEPROM开关单元结构。

背景技术

电源管理、数模以及模拟信号处理电路中，采用修调技术是对抗工艺波动、提升电路处理信号精度的主流方法。

在模拟集成电路中，常采用的修调方法包括熔丝修调、激光修调等物理修调方法，这些方法修调成本高，修调良率低，且无法实现重复修调。

发明内容

本发明的目的在于提供一种单多晶EEPROM开关单元结构，以解决背景技术中的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种单多晶EEPROM开关单元结构，包括：

p型Si衬底，所述p型Si衬底上形成有高压p阱和n阱；

若干个浅槽隔离STI，将所述p型Si衬底的表面分成三部分区域：开关管区域、编程管区域和控制栅区域；其中所述编程管区域的表面通过n型离子掺杂形成有隧穿注入层；

栅氧化层，位于所述p型Si衬底的表面；

多晶层，淀积于所述栅氧化层的表面，所述多晶层覆盖所述开关管区域、所述编程管区域、所述控制栅区域以及浅槽隔离STI；

衬垫，位于所述多晶层的两侧，通过所述衬垫进行栅自对准工艺在所述p型Si衬底上形成有N+离子注入层和P+离子注入层。

可选的，所述栅氧化层包括在所述开关管区域上方的第一氧化层、所述编程管区域上方的第二氧化层以及所述控制栅区域上方的第三氧化层。

可选的，所述栅氧化层通过双栅氧工艺在所述p型Si衬底的表面形成，其中所述第三氧化层的厚度大于所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度，并且所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度相同。

可选的，所述控制栅区域上方的多晶层面积比所述开关管区域和所述编程管区域上方的多晶层面积要大，具体的面积比需根据实际的操作电压进行调整。

可选的，所述衬垫为氧化物—氮化物—氧化物结构，所述开关管区域的源注入层和漏注入层为N﹢离子、所述编程管区域的源注入层和漏注入层为N﹢离子，所述控制栅区域下方的注入包括N+离子注入层和P+离子注入层。

可选的，所述编程管区域的源注入层采用双层注入，包括第一层注入层以及第二层注入层。

可选的，所述开关管区域和所述编程管区域位于所述高压p阱的上方，所述控制栅区域位于所述n阱的上方。

可选的，形成所述高压p阱的注入离子为硼，形成所述n阱的注入离子为磷或砷。

可选的，所述若干个浅槽隔离STI通过在所述p型Si衬底上进行浅槽隔离工艺形成。

在本发明提供的单多晶EEPROM开关单元结构中，采用单多晶EEPROM开关单元结构和EEPROM修调IP，可实现重复且精确的修调功能；具有修调灵活、修调成品率高、工艺成本低且易实现工艺移植等突出优点，可以广泛用于电源管理电路输出电压控制以及其他高精度数模混合及模拟电路中。

附图说明

图1是本发明提供的单多晶EEPROM开关单元结构的层次图；