[发明专利]光刻机的污染控制系统、方法和光刻机

权利要求书

1.一种光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述光刻机包括：极紫外光源、照明光学腔室、用于放置掩模的掩模台、投影光学腔室、用于放置硅片的硅片台、主腔室、硅片台腔室、硅片传输腔室和掩模传输腔室，所述照明光学腔室、所述掩模台和所述投影光学腔室均布置在所述主腔室中，所述硅片台布置在所述硅片台腔室中，所述光刻机的污染控制系统包括：

高纯清洁气源，用于提供高纯度的清洁工艺气体；

纯化器，用于过滤从所述高纯清洁气源输出的清洁工艺气体；

照明光学腔室气体装置，所述照明光学腔室气体装置包括第一流量控制器和第一配气管道，所述第一配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第一流量控制器输送至所述照明光学腔室的清洁工艺气体进行分配，所述第一配气管道还包括照明光学腔室气压调节管道支路，用于调节所述照明光学腔室内的工作气压；

主腔室气体装置，所述主腔室气体装置包括第二流量控制器和第二配气管道，所述第二配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第二流量控制器输送至所述主腔室的清洁工艺气体进行分配，所述第二配气管道还包括主腔室气压调节管道支路，用于调节主腔室内的工作气压；

投影光学腔室气体装置，所述投影光学腔室气体装置包括第三流量控制器和第三配气管道，所述第三配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第三流量控制器输送至所述投影光学腔室的清洁工艺气体进行分配，所述第三配气管道还包括投影光学腔室气压调节管道支路，用于调节所述投影光学腔室内的工作气压；

硅片台腔室气体装置，所述硅片台腔室气体装置包括第四流量控制器和第四配气管道，所述第四配气管道包括多个管道支路，用于对经由所述第四流量控制器输送至所述硅片台腔室的清洁工艺气体进行分配，所述第四配气管道还包括硅片台腔室气压调节管道支路和硅片传输窗口管道支路，用于调节所述硅片台腔室内的工作气压和所述硅片传输腔室内的工艺气压；和

真空泵组，所述真空泵组包括主腔室真空泵、硅片台腔室真空泵和硅片传输腔室真空泵；

所述光刻机的污染控制系统通过调节所述照明光学腔室气体装置、所述主腔室气体装置、所述投影光学腔室气体装置、所述硅片台腔室气体装置以及所述真空泵组，使所述照明光学腔室内的工艺气压为P₁、所述投影光学腔室内的工艺气压为P₂、所述主腔室内的工艺气压为P₃、所述硅片台腔室内的工艺气压为P₄、所述硅片传输腔室内的工艺气压为P₅，其中，P₁≥P₃，P₂≥P₃，P₄≥P₅，且P₁、P₂、P₃、P₄、P₅均在0.01～100Pa范围之内。

2.根据权利要求1所述的光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述第一配气管道还包括照明反射镜管道支路和滤光片管道支路。

3.根据权利要求1所述的光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述第二配气管道还包括掩模配气管道支路。

4.根据权利要求1所述的光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述第三配气管道还包括投影物镜管道支路。

5.根据权利要求1所述的光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述光刻机的污染控制系统还包括第一气体锁装置，所述第一气体锁装置包括第五流量控制器和第五配气管道，所述第五配气管道的出口设置于所述投影光学腔室与所述硅片台腔室之间的通光孔处。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光刻机的污染控制系统，其特征在于，所述光刻机的污染控制系统还包括第二气体锁装置，所述第二气体锁装置包括第六流量控制器和第六配气管道，所述第六配气管道的出口设置于所述极紫外光源与所述照明光学腔室之间的通光孔处。