[发明专利]金属栅制程下伪栅极的去除方法

权利要求书

1.一种金属栅制程下伪栅极的去除方法，

在硅衬底上形成有伪栅极，伪栅极上依次设有氮化硅硬掩模层、氧化物硬掩模层，在两侧从内到外依次设有第一侧墙、第二侧墙、第三侧墙；

其特征在于，包含：

S1：去除第三侧墙；

S2：沉积接触孔阻挡层；

S3：沉积第一氧化物内层电介质层、氮化硅内层电介质层、第二氧化物内层电介质层，形成氧化物-氮化物-氧化物三层内层电介质层；

S4：采用机械化学抛光工艺，将三层内层电介质层的顶部磨平；

S5：刻蚀，上表面平整地至氮化硅硬掩模层的顶部；

S6：去除氮化硅硬掩模层，去除伪栅极。

2.根据权利要求1所述的金属栅制程下伪栅极的去除方法，其特征在于，在硅衬底上设有NMOS区、PMOS区、浅沟道隔离。

3.根据权利要求2所述的金属栅制程下伪栅极的去除方法，其特征在于，

在PMOS区处进行锗硅进程；

在NMOS区处氧化物硬掩模层比在PMOS区处氧化物硬掩模层厚。

4.根据权利要求1所述的金属栅制程下伪栅极的去除方法，其特征在于，

第一侧墙为氮碳硅；第二侧墙为氧化物；第三侧墙为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的金属栅制程下伪栅极的去除方法，其特征在于，

在步骤S2中的接触孔阻挡层为氮化硅。

6.根据权利要求1所述的金属栅制程下伪栅极的去除方法，其特征在于，

在步骤S3中的沉积第一氧化物内层电介质层高于最高的氧化物硬掩模层，将所有的氧化物硬掩模层都覆盖在第一氧化物内层电介质层内。

7.根据权利要求1所述的金属栅制程下伪栅极的去除方法，其特征在于，

在步骤S4中的采用氮化硅/氧化物高研磨选择比进行研磨。

8.根据权利要求1所述的金属栅制程下伪栅极的去除方法，其特征在于，

在步骤S5中的采用干法刻蚀将三层内层电介质层、接触孔阻挡层、第二侧墙、第一侧墙、氧化物硬掩模层。

9.根据权利要求1所述的金属栅制程下伪栅极的去除方法，其特征在于，

在步骤S6后，在去除了伪栅极的孔中形成高介电常数绝缘层，再形成金属栅极。

10.根据权利要求1至9其中任一项所述的金属栅制程下伪栅极的去除方法，其特征在于，适用于技术节点为28纳米以下的制程。