[发明专利]一种器件微区工艺测量和校正方法

权利要求书

1.一种器件微区工艺测量和校正方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)构建器件微区工艺测量系统；所述系统包括：待测样品、位移平台，光学显微镜、图像采集设备、图像显示设备和图像处理装置；所述待测样品含有薄胶和基片；

(2)将待测样品放置在位移平台上，固定待测样品，保证待测样品的水平度；

(3)根据图像显示设备提供的信息，来判断待测样品上的目标区域的位置，用位移平台进行调节待测样品的位置；所述目标区域控制在20μm×20μm的范围内；

(4)图像采集设备负责采集待测样品的目标区域内的RGB值，传递给图像处理装置；

(5)图像处理装置利用加权算法将颜色通道数值转换成灰度值，降低变量的数量，提高处理速度；

(6)用电子束曝光机制备纳米图案的制备并验证；

所述步骤(5)实现过程如下：

Grey＝0.2989*R+0.5870*G+0.1140*B

其中，Grey代表灰度值，R代表红色通道值，G代表绿色通道值，B代表蓝色通道值；灰度值越小，代表目标区域胶的厚度越厚；选择M个不同位置区域上的灰度值，去掉最大值和最小值，对剩下的灰度值进行期望值计算，该期望值E作为待测样品的参考厚度：

A_i＝(255-Grey_i)/E

其中，A_i代表第i个目标区域的加权数，Grey_i代表第i个目标区域的灰度值；

根据A_i的调整电子束曝光机的剂量分布，有：

D_i＝A_i*Dose

其中，D_i代表第i个目标区域的实际曝光剂量，Dose代表参考剂量；

所述步骤(6)包括以下步骤：

(61)根据图像处理数据分析和调整相关实验参数；

(62)电子束曝光机对正性电子束抗蚀胶进行图案化曝光；

(63)显影、定影处理，得到具有纳米图案的正性光刻胶掩膜；

(64)利用反应离子刻蚀对多余的薄膜刻蚀并去掉多余的残胶；

(65)使用扫描电镜验证纳米图案。