[发明专利]提升原料气体量效率的方法在审
申请号: | 202111420506.4 | 申请日: | 2021-11-26 |
公开(公告)号: | CN114171434A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 徐耀中;杨敏;陈化冰;沈斌 | 申请(专利权)人: | 江苏南大光电材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 王玉国 |
地址: | 215021 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提升 原料 体量 效率 方法 | ||
1.提升原料气体量效率的方法,其特征在于:将与储存容器中源接触的载气先进行预加热,使储存容器内热平衡及源的蒸气压稳定。
2.根据权利要求1所述的提升原料气体量效率的方法,其特征在于:采用内加热方式或外加热方式对载气先进行预加热,所述内加热方式,是在储存容器内设置载气预热管,载气预热管的进口与载气进气管连通,出口与储存源的腔室连通,储存容器置于热源中;
所述外加热方式,是在储存容器外设置载气预热管,载气预热管的进口与载气管路连通,出口与插底管连通,插底管插入储存容器内,载气预热管设有加热单元。
3.根据权利要求2所述的提升原料气体量效率的方法,其特征在于:所述内加热方式,载气预热管设于储存容器内底端,储存容器内设有多层活动的载源板,将储存容器内腔由下而上分隔为多个腔室,每层载源板上设有用于将上层腔室与下层腔室相连通的接管,每层载源板上还设有用于供中心管插接的中心孔,中心管穿过每层载源板,其顶端与载气进气管连通,底端与载气预热管连通,载气预热管的出口位于载气预热管所处的腔室,出气管与最上层腔室连通;载气经载气进气管进入中心管,继而载气经载气预热管预热后进入腔室,带着源蒸汽依次由下而上穿过每层载源板的接管,最终从出气管输送出,载气经载气预热管得到预热,避免容器内部进气不均匀、气压不稳的状况,提高源的使用率。
4.根据权利要求2或3所述的提升原料气体量效率的方法,其特征在于:所述载气预热管为螺旋盘管。
5.根据权利要求3所述的提升原料气体量效率的方法,其特征在于:每层载源板设有一个中心口和两个接管,于径向位于一条直线上,两个接管以中心口为中心呈左右对称,每层载源板上接管与中心口的连线和相邻载源板上接管与中心口的连线,于轴向投影呈垂直关系。
6.根据权利要求3所述的提升原料气体量效率的方法,其特征在于:中心管与载气预热管焊接为一体,中心管穿过每层载源板上中心口,其顶端通过螺纹与法兰连接,中心管与载气预热管焊接点处的托板将载源板紧接触在一起。
7.根据权利要求3所述的提升原料气体量效率的方法,其特征在于:出气管的进口设有滤网。
8.根据权利要求3所述的提升原料气体量效率的方法,其特征在于:载气预热管的出口位于载气预热管所处腔室的底部。
9.根据权利要求3所述的提升原料气体量效率的方法,其特征在于:载源板有2~8层,由下而上间隔设置。
10.根据权利要求2所述的提升原料气体量效率的方法,其特征在于:所述外加热方式,插底管插入至储存容器内底部,与插底管正对的储存容器内底板上设有弧形缓冲凹槽;载气先经过载气预热管加热至与储存容器一样温度后,进入储存容器的腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造